Свободная энергия в колебательном контуре.

Работу приведенной выше схемы я вижу иначе. (схемотехника не моя, из англоязычных источников, впервые увидел в теме БТГ Владимира и Чипа, на этом сайте.)
Ключи Q1 и Q2 периодически размыкают и замыкают контур, состоящий из вторичной обмотки трансформатора и последовательно включенных конденсаторов С2 и С3. Зачем это нужно? Все очень просто - это один из методов прерывания процессов энергообразования в контуре.
Далее - ключ Q3 не только порождает ОЭДС (BEMF) в первичной обмотке трансформатора, но и периодически подкорачивает вторичную обмотку с последовательно включенными С2 и С3 , потому как включен в диагональ диодного моста. Поэтому перед макетированием схемы следует разобраться с алгоритмом управления ключами, учитывая Ваши работы, amischuk, в теме супердвойки, и материалы приведенные на Вашем сайте. Без этого никуда. В схеме используются различные методы получения нелокальной энергии при прерывании процессов энергообразования.
p.s.
Диод D9 не дает разрядиться банку А конденсаторов, который выполняет роль источника питания, при открытом Q3. Диод D8 устраняет возможность перезаряда банка В противоположной полярностью в процессе формирования ОЭДС. По крайней мере, мне так кажется.

О каком напряжении СМЕЩЕНИЯ и на каких СТОКАХ речь??? Потрудитесь прочитать схему, а не писать бред.
Для начала уберите из схемы драйвера, а силовые транзисторы замените простыми выключателями, и уж после этого "растекайтесь мыслею по древу", умник .

Шестисотый, Вы слегка не в курсе. Это видно хотя бы из утверждения о 12 вольтах, что не соответствует действительности от слова совсем. Но это такое...
Доказывать Вам что-либо или проводить ликбез не имею ни малейшего желания.
За сим наш диалог считаю законченным и желаю успеха в получении большого количества тепла по патенту 514168 или любым другим удобным Вам способом.

skazochnik пишет:

Добрый день amischuk,
Хорошее делоделаете.
Попробуйте поставьте в схему ещё один диод, чтобы узнать откуда прибавка на конденсаторе.

Заодно поймём, откуда прибавка на конденсаторе.
Если прибавки не будет с диодом, то значит эта прибавка от резонансного контура.
Всё просто. Лишь один маленький эксперимент и вуаля.
Спасибо за внимание.

Конденсатор по предложенной к проверке схеме заряжается. Но почему - не понятно. Полупроводники в обычном их понимании не работают или работают как то иначе. Напряжение на конденсаторе зависит от мощности подаваемой в КК, резонанс не обязателен. В эксперименте напряжение источника было 20V. Поступление энергии в контур регулируется длительностью импульса в течении которого транзистор открыт.

Со снятием энергии с конденсатора в колебательном контуре С2 и с конденсатора в схеме С1 - полная безнадёга. Транзисторы IGBT/MOSFET, даже при наличии гальванической развязки - всегда открыты полностью либо открываются частично энергией в колебательном контуре, поэтому простейший съём по генератору сигналов с конденсаторов С2/C1 у меня не выходит.

amischuk пишет:

skazochnik пишет:

Добрый день amischuk,
Хорошее делоделаете.
Попробуйте поставьте в схему ещё один диод, чтобы узнать откуда прибавка на конденсаторе.

Заодно поймём, откуда прибавка на конденсаторе.
Если прибавки не будет с диодом, то значит эта прибавка от резонансного контура.
Всё просто. Лишь один маленький эксперимент и вуаля.
Спасибо за внимание.

Конденсатор по предложенной к проверке схеме заряжается. Но почему - не понятно. Полупроводники в обычном их понимании не работают или работают как то иначе. Напряжение на конденсаторе зависит от тока источника подаваемого в КК.

Добрый день,
Интересно получается.
Значит конденсатор заряжаеться от источника - так я понимаю.
Возможно источник даёт больше тока, чтобы преодолеть сопротивление КК и получается, что больше тока идёт на конденсатор.
Интересный опыт.
Даже не знаю теперь в какую сторону грести.
Спасибо за опыт и спасибо за внимание.

Добрый день amischuk,
А вы попробуйте, если не составит труда, подключить заземление к коллектору и посмотреть на осциллограмму.
У меня в схеме получается на 30-40мА больше, когда я подключаю заземление к коллектору.
НО транзистор немного портиться по своим свойствам после заземления, поэтому надо использовать помощнее транзистор.
Может быть с заземлением будет лучше.
Спасибо за внимание.

skazochnik пишет:

Добрый день amischuk,
А вы попробуйте, если не составит труда, подключить заземление к коллектору и посмотреть на осциллограмму.
У меня в схеме получается на 30-40мА больше, когда я подключаю заземление к коллектору.
НО транзистор немного портиться по своим свойствам после заземления, поэтому надо использовать помощнее транзистор.
Может быть с заземлением будет лучше.
Спасибо за внимание.

Можете с заземлением работать. Со снятием энергии с конденсатора в колебательном контуре и с конденсатора в схеме - полная безнадёга. Транзисторы IGBT/MOSFET, даже при наличии гальванической развязки - не работают. Они всегда открыты полностью либо частично энергией в контуре, поэтому простейший съём по генератору сигналов с конденсаторов у меня не выходит.

Добрый день amischuk,

А как Вам идея питать светоматрицы и светодиоды и использовать из для солнечных панелей(КПД 20%), с которых брать мощность ?
Вроде бы можно создать систему, где питаются светодиодные матрицы и светодиоды, верно ?
Если у светопанелей КПД 20%, то у резонанса КПД больше чуток. Верно ?

Спасибо за внимание.

ну нет так нет фантазируйте дальше

skazochnik пишет:

Добрый день amischuk,

А как Вам идея питать светоматрицы и светодиоды и использовать из для солнечных панелей(КПД 20%), с которых брать мощность ?
Вроде бы можно создать систему, где питаются светодиодные матрицы и светодиоды, верно ?
Если у светопанелей КПД 20%, то у резонанса КПД больше чуток. Верно ?

Спасибо за внимание.

Можно и на ЛН снимать, ток потребления на ИП не увеличивается, но только не чем. Надо что-то с ключами придумывать. Полупроводники курят бамбук.