БТГ Владимира и Чипа

Никогда ЭТА схема не сможет дать на выходе 100А в импульсе!

Мне трудно судить по вашим вопросам чему вас учили и учили-ли чему нибудь вообще.
И тем не менее, позвольте повторить1002-й раз то, что тем кто занимается данными вопросами основы электроники и принципы работы основных элементов схем нужно знать как отче наш!
А что касается работы транзисторного ключа на C2M0080120D-24_80А-1200В-80 mΩ-192Вт, то он прекрасно работает в данной схеме, ничуть не нагреваясь!!

Далее ликбез по характеристикам работы:
VDS/рабочее напряжение/ =1200 V; ID/ток истока при @ 25˚C =36 A; RDS(on)/сопротивление в полностью открытом состоянии = 80 mΩ;
W-рассеиваемая мощность в диапазоне температур от TC=25˚C, до TJ = 150 ˚C = 192 Вт
Учитывая указанные характеристики, в полностью открытом состоянии на транзисторе будем иметь падение напряжения = 0,08*14А=1,12В при этом рассеиваемая на транзисторе мощность составит =1,12*14=15,68Вт!!! при максимально-допустимой 192 Вт - и это при прохождении постоянного тока, а у нас через транзистор проходит импульсный, в результате чего рассеиваемая на нём мощность сократится ещё на 30% при имеющейся у нас скважности импульсов =30%
Получим максимальную рассеиваемую мощность на полном открытом транзисторе =15,68*0,7=10,98Вт, что почти в 20 раз меньше максимальной рабочей рассеиваемой мощности на постоянном токе!!!

При работе в импульсном режиме на частоте 1 мГц данный транзистор гарантировано имеет длительность фронтов от 11 и до 23 ns, при рабочем значении напряжения на стоке- VDD = 800 V, и запирающем/отпирающем напряжении на затворе - VGS = -5/20 V. по факту у меня используется -5 и +12 Вольт, т.к. по даташиту транзистор будет полностью открыт при напряжении на затворе = 12В и токе истока =30А!!!
Кроме того я выбрал напряжение открытия =12В из соображения уменьшения времени на изменение напряжения на затворе транзистора с +12 до -5В, т.к. чем выше напряжение отпирания на затворе, тем больше времени требуется транзистору для перехода с полностью открытого состояния в полностью запертое состояние - это называется временем рекомбинации носителей тока в ПН переходах транзистора и это время оговаривается только в заводской документации, но её также можно замерить на стенде, если кому-то нужно...

Так как у нас рабочая частота в 10 раз меньше тестируемой (от 50кГц и до 120кГц), то режим работы транзистора будет в 10 раз легче, именно по этой причине данный транзистор обеспечивает нормальную работу без нагрева с импульсным током =80А при максимальной предусмотренной температуре /Pulse width tP limited by Tjmax/ = TJ = 150 ˚C а мы имеем только +25˚C!!!

Работа установки на частоте 55,24кГц видна на фото:

А все параметры изложены в даташите во вкладке.

Если и после приведённых данных вам что-то будет непонятно, то у меня нет больше слов, кроме нецензурных!

novator75 пишет:

nazar-ia-49 пишет: А вот полную схему управления транзисторным ключом я ранее выкладывал на данной ветке форума со своими пояснениями.

Уважаемый nazar-ia-49!
Можете повторно опубликовать полную схему управления транзисторным ключом. Как то эта инфа мне не помнится.
Был бы Вам признателен.

Присоединяюсь! И еще: чем хуже схема корочения выхода трансформатора двухполярным ключом (без диодного моста)? Получается нормальная двухполярная модуляция частоты ВЧ с частотой 50 гц при скважности управления 90-98%!

Учитывая пожелания коллег по цеху, предлагаю вниманию жаждущих давно применяемую мною схему управления ключом, которая приведена в даташите на оптодрайвер:


Если кому-то захочется работать непосредственно с ключеванием переменного тока, то небольшая доработка выше приведённой схемы позволяет это с успехом делать:

Только не забудьте перевернуть транзистор Q2 эмиттером вверх, т.е. к общей точке.
Эта схема является упрощённым вариантом схемы от "загнивающих" западенцев и приведённую на ветке Атомистика..:


Ну сам принцип схемы управления ключами я использовал от чисто нашей, Российской схемы сварочника, выложенной на этом же сайте:


Так что ничего нового я не придумал, а просто внимательно и главное вдумчиво много лет читал, анализировал, систематизировал и раскладывал по полочкам информацию, приведённую в основном на нашем же сайте.

По указанным причинам я и пришёл к выводу, что надо стараться всё делать как можно проще, не обращая внимание на мыльную пену и туманные завесы всё знающих, но ничего не умеющих толком сделать, фантазёров, заполонивших весь интернет своими фейковыми видео - что и превратило его в интернет-помойку для бездельников и кнопкодавов, которых ничего в жизни не интересует, кроме собственного МНИМОГО возвеличивания, что они с успехом и демонстрируют.

А на самом деле, наша жизнь, гораздо проще, чем это нам кажется - предлагаю попытаться почитать очень коротенький рассказ о "Маленьком принце" - если уж кто-то не желает верить мне по причине огромного эго.

В заключение все желающие могут ознакомиться с моим видением схемы ключевания во вложении.

Удачи...

Что касается вопроса заданного 1q2w3e4r "чем хуже схема корочения выхода трансформатора двухполярным ключом (без диодного моста)?", могу сказать следующее:
1. Так как меня учили в своё время основам радиоаппаратостроения (здесь всё в одном флаконе: радиотехника; цифровая техника; радиоприём/передача; телевидение и т.д. и т.п.), что любой радиотехнический сигнал должен быть равномерным, иметь форму без искажений и всплесков, которые свидетельствуют об наличии в сигнале искажений, а следовательно гармоник - что неизбежно, т.е. автоматически, приводит к снижению КПД устройства, а порой и полной его неработоспособности.

2. По этой причине я сначала на практике, а не теоретически, проверил сравнительные характеристики в работе устройства по указанному вами принципу с устройством, которое производит модуляцию (несущей) резонансной частоты резонатора выпрямленным пульсирующим напряжением с частотой 100Гц.

3. Полученный результат оказался не в пользу вашего варианта, при котором на резонаторе накапливалось напряжение величиной 500-800 Вольт и сигнал был весь рваный, с постоянно изменяющейся амплитудой, как в соседних периодах, так и со временем. В общем были видны так любимые всеми ЛОХМАТЫЕ БРОВИ.

А при модуляции выпрямленным пульсирующим напряжением 100 Гц - это напряжение доходило до 4-х кВ!! К тому же с ровным симметричным ВЧ сигналом, модулированным НЧ 100Гц.
Правда пришлось параллельно ключу добавить конденсатор 0,1 мкФ*2000В, что дало прибавку в амплитуде до 30%!!!.
Хотя схема работает и без этого конденсатора, но зачем насиловать транзисторный ключ всплесками???
Меня учили - простота и надёжность превыше всего.

Почувствуйте разницу - меня именно этому учили: думать, многократно анализировать, по результатам чего принимать решение.

Именно по этим причинам, наши, чисто Русские/Российские/Советские... разработки и работают хорошо/надёжно/долго в любых адских условиях и цену имею меньше чем закордонные.

Именно по этим причинам америкосы с их местными ставленниками буквально заставляли "Ельцина и К" уничтожать промышленное производство и рушить связи в СССР, но как видим - основа устояла, а продажные и всевозможные недоделанные, как о них говорили - жертвы западного аборта, потихоньку вымываются, хотя для подобных "жертв..." СССР строил новейшие заводы, восстанавливал их жильё, в ущерб своим интересам, т.е. нам Россиянам.
Но подобные кадры не умели и не умеют и никогда не будут ценить подобные жертвы, у них хватает умишка на то, что бы обвинять СССР в оккупации.
Я был на прекрасном Рижском НОВЕНЬКОМ полупроводниковом заводе, выпускавшем прекрасные СВЧ транзисторы типа гт229, гт341 и многие другие, которые западенцы отрывали буквально с руками и ногами...
А через дорогу-поле шириной в 500м стоял прекрасный завод ВЭФ!!! Со всеми вытекающими последствиями - всё разрушено, что бы не было конкурентов.
Все чёрно-белые телевизоры типа Рекрд В-311 и т.п. на 99% уходили в именно западную Европу, а в России оставался так называемы внешний брак - поцарапанные корпуса и т.п....

А все украденные советские разработки, как бы стали вдруг ихними - и тишина...

Где-то, как-то такое образование и воспитание я получил как основу, которой и пользуюсь, т.к. с простого наскока ничего путного сделать невозможно...

Извините за возможно излишний монолог.

Для закорачивания выхода трансформатора двух полярным ключом в контур добавляется сопротивление одного открытого диода что снижает добротность контура, с одним ключом получаем большую добротность контура.

Вы Vladv002, меня конечно извините, но к большому моему сожалению вы слегка путаете божий дар и яичницу.
В подобных резонансных системах добротность определяется в основном и только активным сопротивлением провода, которым намотана катушка резонатора - это аксиома с которой спорить невозможно.

Выше я уже отмечал, что подобному последовательному включению диодов присвоено "Слэнговое" название - УМНОЖИТЕЛЬ ДОБРОТНОСТИ, т.к. данный дополнительный включённый последовательно с транзистором диод - помогает ускорению запирания транзисторного ключа, а это и есть ничто иное как увеличение крутизны импульсных фронтов, и уменьшение времени шунтирования ключом контура, в особенности в моменты переходного процесса при запирании ключа - и все эти и многие другие особенности увеличивают, а не уменьшают добротность контура резонатора, да к тому же позволяют усилить возмущение окружающей среды за счёт уменьшения времени переходных процессов между открытым и закрытым состоянием ключа.

И маленький нюанс - при использовании ИГБТ транзистора или полевого транзистора со значительной величиной входной ёмкости и большим зарядом затвора относительно истока, ОБЯЗАТЕЛЬНО нужно ставить дополнительный ВНЕШНИЙ диод ШОТКИ, параллельно каждому транзистору!!!

Это обусловлено тем, что у транзисторов ИГБТ параллельный (сиречь защитный) диод сформирован из так называемых паразитных ПН переходов, имеющих очень плохие частотно-временные характеристики, что и будет приводить в конечном итоге к уменьшению добротности, вместо её увеличения.
В общем не нужно жадничать и экономить на мелочах, используя плохонькие транзисторы, а потом кричать, что схема-то не рабочая, караул обманули.

Предлагаю очень внимательно и многократно почитать информацию о работе подобных устройств, а лучше выучить её наизусть, если с восприятием на слух и зрение имеются проблемы.
И, кстати, работу всей современной электроники я изучал сам по книгам начиная с "технологии производства полупроводниковых приборов" и заканчивая последними - вполне доступными в интернете. Нужно только желание разобраться в их работе, вместо постоянного задавания непонятных вопросов....

Подобной информации в интернете полно, а одна из небольших подборок в файле во вкладке.

Попробуйте и у вас обязательно получится, если ваше желание искреннее!

Не боги горшки обжигают, а обычные люди...

Удачи.

Спасибо GeotechRU за информацию, в ней кое-что понятно, кроме "КЗДЛ" - я могу это расшифровать как "коротко-замкнутая длинная линия", т.к. мне по жизни частенько приходилось бороться с это напастью в длинных линиях связи.
В противном случае...
И хотелось бы увидеть рисунки, на которые идёт ссылка по тексту в первом посту!
Как никак наш мозг основную информацию воспринимает через зрение, а схемы, подчас, дают информации гораздо больше чем их обезличенное описание.

Приветствую единомышленников и, до изложения информации по нашей теме, позвольте поблагодарить KELVINа за помощь в выявлении/проявлении... тех, кого в политических кругах считают 5-й колонной, находящейся на закордонном содержании, ну а у нас - это в лучшем случае пустозвоны и пр. пена от свободы слова, а выявленные спецы, вероятнее всего, тоже профессионально (т.е. по заданию) занимаются целенаправленным забалтыванием интересных тем совместно с компанией, прячущихся под маской "гульфиков" и т.п.
Учитывая, что в нашем деле такая Пена, это неизбежное последствие свободы слова в инете, то нам не помешает иметь её поимённый список:
KELVIN, Alfic, Stasichev, yurum, andreishal, 29jay, Magnit,
Предлагаю реагировать на всю поступающую от данной "неизбежности" информацию руководствуясь принципом Восточной мудрости:
"Собака лает - караван идёт"! Т.е. вообще не реагировать на их информационные выпады.

Далее по интересной информации от GeotechRU за что ему ещё раз спасибо:
Анализ информации об организации съёма энергии с резонансных систем путём применения дополнительной катушки, не находящейся в поле резонатора показал:
1. Данная дополнительная катушка, по рекомендации Теслы изложенной в его дневниках, должна работать на одной резонансной частоте с основным/первичным контуром, в нашем случае с резонатором - далее его пояснения:
"Очевидно, что максимальный подъем произойдет, когда период возбужденной системы, или добавочной катушки, совпадет с периодом колебательной системы, инициирующей перемещение, ибо, несмотря на то, что результаты, полученные с более низкой или предельно высокой частотой, и в особенности с первой, могут быть иногда столь поразительны, что их можно ошибочно принять за эффект подлинных колебаний, они тем не менее всегда будут ниже, и я, как правило, беру самые верхние и полутона, чтобы быть уверенным в результате, когда имеется какое-либо сомнение в этом отношении".
2. При работе на резонансной частоте резонатора значительно ниже чем частота звона катушки резонатора, что соответствует нашему случаю, необходимо работать катушками, имеющими как можно большую индуктивность - для получения большего напряжения на контуре резонатора, далее дословное пояснение Теслы:
"Однако когда количество прерываний сравнительно невелико, то есть намного меньше количества свободных колебаний, гораздо выгоднее иметь высокую индуктивность, чтобы сообщить больший импульс цепи и тем самым позволить ей колебаться дольше после каждого прерывания."
3. Тесла так же даёт пояснение почему в моём варианте с доп. ёмкостью включённой параллельно транзисторному ключу, на 30% увеличивается энергия накапливаемая в контуре резонатора, а именно:
"Приходится констатировать, – по ряду причин, какой бы ни была фактическая длина первичного проводника, выгоднее смонтировать его таким образом, чтобы он был симметричен относительно конденсатора и прерывателя, при этом одной из главных целей является обеспечение максимальной разности потенциала на выводах конденсатора. Этот анализ приводит к признанию необходимости подключения по крайней мере двух последовательных конденсаторов".

Иными словами, по результатам анализа информации дневников Теслы, нам необходимо сначала определить резонансную частоту контура, образованного дополнительной катушкой и катушкой съёма через их емкостную связь, после чего настроить контур резонатора на ту частоту, которая получилась у дополнительной катушки совместно с катушкой съёма энергии в нагрузку.
Это связано с тем, что изменять частоту резонатора гораздо проще, чем частоту настройки контура, образованного дополнительной катушкой, ёмкостью этой катушки относительно обмотки катушки съёма и реактивным сопротивлением катушки съёма...
Также надо не забывать учитывать рекомендацию Теслы о том, что индуктивность дополнительной катушки должна быть как можно большей, при одновременном минимальном значении её активного сопротивления. Речь идёт об учёте соотношения pL/R.
И это несмотря на то, что указанное соотношение Тесла вывел для ВВ четвертьволновых систем, но при и этом он отметил, что оно справедливо и для резонансных контурных систем с сосредоточенной ёмкостью, т.е. для нашего случая.

В общем случае я свою грязную работу выполнил, остаётся отработать практическое исполнение выше приведённых особенностей применения дополнительной катушки для съёма энергии с резонансного контура.

Где-то примерно так, а дальше нужно чисто технически и технологически каждому своими ручками...

Удачи.

Я очень доволен тем, что у пенной братии помимо пустой пены в головах появилась и бражная пена, всегда переворачивающая своего носителя с ног на голову - с чем и поздравляю.

Благодаря подсказке нормальных СЕ-шников, я сам был приятно удивлён тем, что оказывается много информации не зацепилось за моё внимание из дневников Теслы, чего уж там говорить о пышущих злобной пеной всё знающих, но ничего не ведающих кроме неприятия чужого мнения "Доброжелателей"!

По этим причинам у меня и появилась дурная мысль (на радость злопыхателям) о том, почему энергетика БИФа существенно выше энергетики обычной катушки, которую постараюсь кратко изложить:
У меня остаётся только одно объяснение эффекта увеличения индуктивности у БИФа - это появление эффекта подталкивания поля одного витка БИФа другим, расположенным фактически позади первого витка, по принципу отталкивания одноимённых зарядов, а в нашем случае от присутствия позади электромагнитного поля одного витка точно такого же электромагнитного поля другого витка второй полуобмотки отличающийся на какой-то временной интервал от поля первого витка первой полуобмотки и имеющего одинаковое направление вращения (т.е. одноимённое мгновенное значение потенциала) - для случая переменного тока.

Вот что писал Тесла именно про такие катушки стр. 94 дневника...:
"Чтобы создать максимально возможное перемещение электричества... желательно достичь каким-либо образом большой емкости на свободном зажиме. Большая емкость достижима разными способами, некоторые из них таковы:
1) Катушка с намоткой, обеспечивающей максимальную емкость (внутриконтурную).
Витки расположены таким образом, что между прилегающими витками смежных слоев существует значительная разность потенциалов, настолько большая, какую только может выдержать изоляция. Это лучше всего сделать по схеме 1, согласно которой между каждыми двумя витками наблюдается половина общей разности напряжения, активно действующего па зажимах катушки".
А на указанном рисунке присутствует не что иное как наш БИФ!
Указанное мною можно попытаться объяснить рисунком:

И если применить принцип аналогии, то у соседних витков обычной катушки электромагнитные поля будут по всей вероятности отталкиваться наподобие того же примера о взаимодействии одноимённых зарядов, т.е. в нашем случае будут оказывать угнетающее действие электромагнитного поля вокруг одного проводника в отношении электромагнитного поля вокруг другого (соседнего) проводника с одним и тем же током и одной и той же фазой тока, т.к. они (поля; токи...) практически не имеют отличия ни по фазе ни по величине напряжения из-за близости соседних витков друг к другу при движении тока в проводнике со скоростью света.
Этот эффект очень наглядно можно наблюдать на примере отталкивания друг от друга проводов у сварочного трансформатора переменного тока при возникновении К.З. его выходной обмотки в момент касания электрода поверхности свариваемой детали - из-за огромного тока КЗ в несколько сот Ампер.

По крайней мере, об этом говорит никому не понятный и никем не объяснённый пример непонятно каким образом увеличенной индуктивности БИФилярной катушки, по сравнению с суммарной/общей индуктивностью двух последовательно соединённых катушек, определяемых по закону Ома для последовательного сложения индуктивностей в данном случае.
Всем несогласным с данной информацией, предлагаю посчитать на калькуляторе для расчёта таких параметров катушек индуктивности и при наличии 2-х полуобмоток катушки БИФа по 170 мкГн у вас получиться 340 мкГн, а по факту БИФ-катушка намотанная литцендратом в шёлке, в моём случае, почему-то имеет индуктивность 630 мкГн?? А для проводов с эмалевой изоляцией эта разница будет ещё больше (более 700 мкГн) при одинаковом числе витков - из-за более близкого расположения эмалированных проводов друг к другу, по сравнению с литцендратом имеющего изоляцию толщиной 0,3мм!

Отсюда вытекает не очень сложное объяснение того, по какой причине использование накачки по принципу Чипа, т.е. ключеванием вторичной обмотки, мы получаем очень приличное, если ни сказать огромное, увеличение накапливаемой энергии в контуре резонатора при мизерном потреблении от сети, а именно:
1. При ключевании переменного, или в моём случае пульсирующего выпрямленного, напряжения после вторички силового трансформатора, мы будем получать очень короткие импульсы напряжения следующих друг за другом со скважностью до 30%.
2. Применяя обычную катушку в нашей схеме увеличение накапливаемого на контуре резонатора напряжения будет в основном обусловлено только реакцией трансформаторного железа межобмоточного экрана, в соответствии со значениями протекающего тока через транзисторный ключ и полученного изменения относительной магнитной проницаемости от изменения магнитного поля - см. рис. 2-76, т.к. соседние импульсы находятся на значительном расстоянии друг от друга и не оказывают заметного взаимо-угнетающего действия друг на друга.
3. В то же время применение БИФилярной намотки катушек резонатора, позволяет накапливать в резонаторе с гораздо меньшими размерами его катушки существенно большую энергию, как выразился Тесла - из-за того "что между прилегающими витками смежных слоев существует значительная разность потенциалов, настолько большая, какую только может выдержать изоляция"!
По моему мнению, это обусловлено тем, что импульсы в предыдущем витке от одной полуобмотки, оказывают ускоряющее как бы подталкивающее воздействие на импульсы в соседнем витке второй полуобмотки, т.к. фазы данных импульсов будут отличаться по времени примерно в 100 раз для 100-витковой катушки по сравнению с обычной катушкой и их воздействие на поле катушки и процесс в каждой полуволне модулирующего сетевого НЧ напряжения будет нарастать с каждым следующим импульсом используя дополнительную энергию получаемую от реакции трансформаторного железа согласно рис. 2-76 - мною приведённом ране.
Как один из возможных вариантов такого как бы взаимоподталкивания изображён на рисунке в моём видении:

Хотя всё это может действовать и по другому принципу, т.к. в нашем деле ничего однозначно утверждать невозможно.
И всё же, такое объяснение процессов происходящих при накоплении поистине огромной, хоть и реактивной, энергии в резонаторе, при мизерной (не более 70 Вт) мощности потребляемой от сети, позволяет объяснить данный факт чисто на основе существующих научных данных оперируемых современной наукой?!?!...

Конечно получается слишком уж всё просто, как две копейки, но, тем не менее, если взять и просто-напросто посчитать возможный, ЧИСТО РАСЧЁТНЫЙ выхлоп напряжения, которое может получиться, даже пусть гипотетически, от процесса ключевания в моём случае 11,5В с учётом ДВУХКРАТНОГО увеличения напряжения за счёт применения БИФилярной катушки резонатора и, около 2000-е кратного, увеличения напряжения за счёт реакции трансформаторного железа от межобмоточного экрана при импульсном токе ключа=20А, что в итоге даёт просто умопомрачительную величину напряжения, которое может оказаться накопленной в идеальном случае на контуре резонатора:
11,5 х 2 х 2000 = 46 000В!!!
- и это без учёта увеличения напряжения за счёт добротности катушки БИФа величиной в 200-300 единиц!
Остаётся принять только один вариант, как говорил незабвенный К. Райкин это - минус подоходный, минус за бездетность, что в переложении на нашу действительность означает с УЧЁТОМ уменьшения КПД установки от потерь на используемых в ней комплектующих и рассеяния в окружающее пространство, снизившее напряжение до 4 000 Вольт, в лучшем моём варианте по факту.
Т.е. указанные потери составляют 11,5 раз, что оставляет надежду на получение более высокой выходной мощности при соответствующем усердии искателей СЕ.

Да, и самое интересное, это то, что на усиливающую реакцию от внешней среды (ЭФИРА) ничего вроде как и не приходится, разве что её ОТРИЦАТЕЛЬНОЕ влияние вошло в понижающий К=11,5 раз!?!?...

В общем есть над чем поломать копья нашим недоброжелателям, равно как и ярым сторонникам получения энергии их Эфира, ну и конечно же учёным-теоретикам!?!?...

Более подробно эту информацию можно получить из вложенного файла.

Пока всё.

Удачи