БТГ Владимира и Чипа

5 года 7 мес. назад
nazar-ia-49
Живу я здесь
Живу я здесь
Сообщений: 429
Больше
БТГ Владимира и Чипа #114816
Вы Vladv002, меня конечно извините, но к большому моему сожалению вы слегка путаете божий дар и яичницу.
В подобных резонансных системах добротность определяется в основном и только активным сопротивлением провода, которым намотана катушка резонатора - это аксиома с которой спорить невозможно.

Выше я уже отмечал, что подобному последовательному включению диодов присвоено "Слэнговое" название - УМНОЖИТЕЛЬ ДОБРОТНОСТИ, т.к. данный дополнительный включённый последовательно с транзистором диод - помогает ускорению запирания транзисторного ключа, а это и есть ничто иное как увеличение крутизны импульсных фронтов, и уменьшение времени шунтирования ключом контура, в особенности в моменты переходного процесса при запирании ключа - и все эти и многие другие особенности увеличивают, а не уменьшают добротность контура резонатора, да к тому же позволяют усилить возмущение окружающей среды за счёт уменьшения времени переходных процессов между открытым и закрытым состоянием ключа.

И маленький нюанс - при использовании ИГБТ транзистора или полевого транзистора со значительной величиной входной ёмкости и большим зарядом затвора относительно истока, ОБЯЗАТЕЛЬНО нужно ставить дополнительный ВНЕШНИЙ диод ШОТКИ, параллельно каждому транзистору!!!

Это обусловлено тем, что у транзисторов ИГБТ параллельный (сиречь защитный) диод сформирован из так называемых паразитных ПН переходов, имеющих очень плохие частотно-временные характеристики, что и будет приводить в конечном итоге к уменьшению добротности, вместо её увеличения.
В общем не нужно жадничать и экономить на мелочах, используя плохонькие транзисторы, а потом кричать, что схема-то не рабочая, караул обманули.

Предлагаю очень внимательно и многократно почитать информацию о работе подобных устройств, а лучше выучить её наизусть, если с восприятием на слух и зрение имеются проблемы.
И, кстати, работу всей современной электроники я изучал сам по книгам начиная с "технологии производства полупроводниковых приборов" и заканчивая последними - вполне доступными в интернете. Нужно только желание разобраться в их работе, вместо постоянного задавания непонятных вопросов....

Подобной информации в интернете полно, а одна из небольших подборок в файле во вкладке.

Попробуйте и у вас обязательно получится, если ваше желание искреннее!

Не боги горшки обжигают, а обычные люди...

Удачи.
Вложения:
Тема заблокирована.
5 года 7 мес. назад
nazar-ia-49
Живу я здесь
Живу я здесь
Сообщений: 429
Больше
БТГ Владимира и Чипа #114895
Спасибо GeotechRU за информацию, в ней кое-что понятно, кроме "КЗДЛ" - я могу это расшифровать как "коротко-замкнутая длинная линия", т.к. мне по жизни частенько приходилось бороться с это напастью в длинных линиях связи.
В противном случае...
И хотелось бы увидеть рисунки, на которые идёт ссылка по тексту в первом посту!
Как никак наш мозг основную информацию воспринимает через зрение, а схемы, подчас, дают информации гораздо больше чем их обезличенное описание.
Тема заблокирована.
5 года 7 мес. назад
nazar-ia-49
Живу я здесь
Живу я здесь
Сообщений: 429
Больше
БТГ Владимира и Чипа #115019
Приветствую единомышленников и, до изложения информации по нашей теме, позвольте поблагодарить KELVINа за помощь в выявлении/проявлении... тех, кого в политических кругах считают 5-й колонной, находящейся на закордонном содержании, ну а у нас - это в лучшем случае пустозвоны и пр. пена от свободы слова, а выявленные спецы, вероятнее всего, тоже профессионально (т.е. по заданию) занимаются целенаправленным забалтыванием интересных тем совместно с компанией, прячущихся под маской "гульфиков" и т.п.
Учитывая, что в нашем деле такая Пена, это неизбежное последствие свободы слова в инете, то нам не помешает иметь её поимённый список:
KELVIN, Alfic, Stasichev, yurum, andreishal, 29jay, Magnit,
Предлагаю реагировать на всю поступающую от данной "неизбежности" информацию руководствуясь принципом Восточной мудрости:
"Собака лает - караван идёт"! Т.е. вообще не реагировать на их информационные выпады.

Далее по интересной информации от GeotechRU за что ему ещё раз спасибо:
Анализ информации об организации съёма энергии с резонансных систем путём применения дополнительной катушки, не находящейся в поле резонатора показал:
1. Данная дополнительная катушка, по рекомендации Теслы изложенной в его дневниках, должна работать на одной резонансной частоте с основным/первичным контуром, в нашем случае с резонатором - далее его пояснения:
"Очевидно, что максимальный подъем произойдет, когда период возбужденной системы, или добавочной катушки, совпадет с периодом колебательной системы, инициирующей перемещение, ибо, несмотря на то, что результаты, полученные с более низкой или предельно высокой частотой, и в особенности с первой, могут быть иногда столь поразительны, что их можно ошибочно принять за эффект подлинных колебаний, они тем не менее всегда будут ниже, и я, как правило, беру самые верхние и полутона, чтобы быть уверенным в результате, когда имеется какое-либо сомнение в этом отношении".
2. При работе на резонансной частоте резонатора значительно ниже чем частота звона катушки резонатора, что соответствует нашему случаю, необходимо работать катушками, имеющими как можно большую индуктивность - для получения большего напряжения на контуре резонатора, далее дословное пояснение Теслы:
"Однако когда количество прерываний сравнительно невелико, то есть намного меньше количества свободных колебаний, гораздо выгоднее иметь высокую индуктивность, чтобы сообщить больший импульс цепи и тем самым позволить ей колебаться дольше после каждого прерывания."
3. Тесла так же даёт пояснение почему в моём варианте с доп. ёмкостью включённой параллельно транзисторному ключу, на 30% увеличивается энергия накапливаемая в контуре резонатора, а именно:
"Приходится констатировать, – по ряду причин, какой бы ни была фактическая длина первичного проводника, выгоднее смонтировать его таким образом, чтобы он был симметричен относительно конденсатора и прерывателя, при этом одной из главных целей является обеспечение максимальной разности потенциала на выводах конденсатора. Этот анализ приводит к признанию необходимости подключения по крайней мере двух последовательных конденсаторов".

Иными словами, по результатам анализа информации дневников Теслы, нам необходимо сначала определить резонансную частоту контура, образованного дополнительной катушкой и катушкой съёма через их емкостную связь, после чего настроить контур резонатора на ту частоту, которая получилась у дополнительной катушки совместно с катушкой съёма энергии в нагрузку.
Это связано с тем, что изменять частоту резонатора гораздо проще, чем частоту настройки контура, образованного дополнительной катушкой, ёмкостью этой катушки относительно обмотки катушки съёма и реактивным сопротивлением катушки съёма...
Также надо не забывать учитывать рекомендацию Теслы о том, что индуктивность дополнительной катушки должна быть как можно большей, при одновременном минимальном значении её активного сопротивления. Речь идёт об учёте соотношения pL/R.
И это несмотря на то, что указанное соотношение Тесла вывел для ВВ четвертьволновых систем, но при и этом он отметил, что оно справедливо и для резонансных контурных систем с сосредоточенной ёмкостью, т.е. для нашего случая.

В общем случае я свою грязную работу выполнил, остаётся отработать практическое исполнение выше приведённых особенностей применения дополнительной катушки для съёма энергии с резонансного контура.

Где-то примерно так, а дальше нужно чисто технически и технологически каждому своими ручками...

Удачи.
Спасибо сказали radioman, fed, alex61, Зелёный
Тема заблокирована.
5 года 7 мес. назад
nazar-ia-49
Живу я здесь
Живу я здесь
Сообщений: 429
Больше
БТГ Владимира и Чипа #115084
Я очень доволен тем, что у пенной братии помимо пустой пены в головах появилась и бражная пена, всегда переворачивающая своего носителя с ног на голову - с чем и поздравляю.

Благодаря подсказке нормальных СЕ-шников, я сам был приятно удивлён тем, что оказывается много информации не зацепилось за моё внимание из дневников Теслы, чего уж там говорить о пышущих злобной пеной всё знающих, но ничего не ведающих кроме неприятия чужого мнения "Доброжелателей"!

По этим причинам у меня и появилась дурная мысль (на радость злопыхателям) о том, почему энергетика БИФа существенно выше энергетики обычной катушки, которую постараюсь кратко изложить:
У меня остаётся только одно объяснение эффекта увеличения индуктивности у БИФа - это появление эффекта подталкивания поля одного витка БИФа другим, расположенным фактически позади первого витка, по принципу отталкивания одноимённых зарядов, а в нашем случае от присутствия позади электромагнитного поля одного витка точно такого же электромагнитного поля другого витка второй полуобмотки отличающийся на какой-то временной интервал от поля первого витка первой полуобмотки и имеющего одинаковое направление вращения (т.е. одноимённое мгновенное значение потенциала) - для случая переменного тока.

Вот что писал Тесла именно про такие катушки стр. 94 дневника...:
"Чтобы создать максимально возможное перемещение электричества... желательно достичь каким-либо образом большой емкости на свободном зажиме. Большая емкость достижима разными способами, некоторые из них таковы:
1) Катушка с намоткой, обеспечивающей максимальную емкость (внутриконтурную).
Витки расположены таким образом, что между прилегающими витками смежных слоев существует значительная разность потенциалов, настолько большая, какую только может выдержать изоляция. Это лучше всего сделать по схеме 1, согласно которой между каждыми двумя витками наблюдается половина общей разности напряжения, активно действующего па зажимах катушки".
А на указанном рисунке присутствует не что иное как наш БИФ!
Указанное мною можно попытаться объяснить рисунком:

И если применить принцип аналогии, то у соседних витков обычной катушки электромагнитные поля будут по всей вероятности отталкиваться наподобие того же примера о взаимодействии одноимённых зарядов, т.е. в нашем случае будут оказывать угнетающее действие электромагнитного поля вокруг одного проводника в отношении электромагнитного поля вокруг другого (соседнего) проводника с одним и тем же током и одной и той же фазой тока, т.к. они (поля; токи...) практически не имеют отличия ни по фазе ни по величине напряжения из-за близости соседних витков друг к другу при движении тока в проводнике со скоростью света.
Этот эффект очень наглядно можно наблюдать на примере отталкивания друг от друга проводов у сварочного трансформатора переменного тока при возникновении К.З. его выходной обмотки в момент касания электрода поверхности свариваемой детали - из-за огромного тока КЗ в несколько сот Ампер.

По крайней мере, об этом говорит никому не понятный и никем не объяснённый пример непонятно каким образом увеличенной индуктивности БИФилярной катушки, по сравнению с суммарной/общей индуктивностью двух последовательно соединённых катушек, определяемых по закону Ома для последовательного сложения индуктивностей в данном случае.
Всем несогласным с данной информацией, предлагаю посчитать на калькуляторе для расчёта таких параметров катушек индуктивности и при наличии 2-х полуобмоток катушки БИФа по 170 мкГн у вас получиться 340 мкГн, а по факту БИФ-катушка намотанная литцендратом в шёлке, в моём случае, почему-то имеет индуктивность 630 мкГн?? А для проводов с эмалевой изоляцией эта разница будет ещё больше (более 700 мкГн) при одинаковом числе витков - из-за более близкого расположения эмалированных проводов друг к другу, по сравнению с литцендратом имеющего изоляцию толщиной 0,3мм!

Отсюда вытекает не очень сложное объяснение того, по какой причине использование накачки по принципу Чипа, т.е. ключеванием вторичной обмотки, мы получаем очень приличное, если ни сказать огромное, увеличение накапливаемой энергии в контуре резонатора при мизерном потреблении от сети, а именно:
1. При ключевании переменного, или в моём случае пульсирующего выпрямленного, напряжения после вторички силового трансформатора, мы будем получать очень короткие импульсы напряжения следующих друг за другом со скважностью до 30%.
2. Применяя обычную катушку в нашей схеме увеличение накапливаемого на контуре резонатора напряжения будет в основном обусловлено только реакцией трансформаторного железа межобмоточного экрана, в соответствии со значениями протекающего тока через транзисторный ключ и полученного изменения относительной магнитной проницаемости от изменения магнитного поля - см. рис. 2-76, т.к. соседние импульсы находятся на значительном расстоянии друг от друга и не оказывают заметного взаимо-угнетающего действия друг на друга.
3. В то же время применение БИФилярной намотки катушек резонатора, позволяет накапливать в резонаторе с гораздо меньшими размерами его катушки существенно большую энергию, как выразился Тесла - из-за того "что между прилегающими витками смежных слоев существует значительная разность потенциалов, настолько большая, какую только может выдержать изоляция"!
По моему мнению, это обусловлено тем, что импульсы в предыдущем витке от одной полуобмотки, оказывают ускоряющее как бы подталкивающее воздействие на импульсы в соседнем витке второй полуобмотки, т.к. фазы данных импульсов будут отличаться по времени примерно в 100 раз для 100-витковой катушки по сравнению с обычной катушкой и их воздействие на поле катушки и процесс в каждой полуволне модулирующего сетевого НЧ напряжения будет нарастать с каждым следующим импульсом используя дополнительную энергию получаемую от реакции трансформаторного железа согласно рис. 2-76 - мною приведённом ране.
Как один из возможных вариантов такого как бы взаимоподталкивания изображён на рисунке в моём видении:

Хотя всё это может действовать и по другому принципу, т.к. в нашем деле ничего однозначно утверждать невозможно.
И всё же, такое объяснение процессов происходящих при накоплении поистине огромной, хоть и реактивной, энергии в резонаторе, при мизерной (не более 70 Вт) мощности потребляемой от сети, позволяет объяснить данный факт чисто на основе существующих научных данных оперируемых современной наукой?!?!...

Конечно получается слишком уж всё просто, как две копейки, но, тем не менее, если взять и просто-напросто посчитать возможный, ЧИСТО РАСЧЁТНЫЙ выхлоп напряжения, которое может получиться, даже пусть гипотетически, от процесса ключевания в моём случае 11,5В с учётом ДВУХКРАТНОГО увеличения напряжения за счёт применения БИФилярной катушки резонатора и, около 2000-е кратного, увеличения напряжения за счёт реакции трансформаторного железа от межобмоточного экрана при импульсном токе ключа=20А, что в итоге даёт просто умопомрачительную величину напряжения, которое может оказаться накопленной в идеальном случае на контуре резонатора:
11,5 х 2 х 2000 = 46 000В!!!
- и это без учёта увеличения напряжения за счёт добротности катушки БИФа величиной в 200-300 единиц!
Остаётся принять только один вариант, как говорил незабвенный К. Райкин это - минус подоходный, минус за бездетность, что в переложении на нашу действительность означает с УЧЁТОМ уменьшения КПД установки от потерь на используемых в ней комплектующих и рассеяния в окружающее пространство, снизившее напряжение до 4 000 Вольт, в лучшем моём варианте по факту.
Т.е. указанные потери составляют 11,5 раз, что оставляет надежду на получение более высокой выходной мощности при соответствующем усердии искателей СЕ.

Да, и самое интересное, это то, что на усиливающую реакцию от внешней среды (ЭФИРА) ничего вроде как и не приходится, разве что её ОТРИЦАТЕЛЬНОЕ влияние вошло в понижающий К=11,5 раз!?!?...

В общем есть над чем поломать копья нашим недоброжелателям, равно как и ярым сторонникам получения энергии их Эфира, ну и конечно же учёным-теоретикам!?!?...

Более подробно эту информацию можно получить из вложенного файла.

Пока всё.

Удачи
Вложения:
Спасибо сказали aliak07, bogdan64, radioman, Константин, Олег, yakutenko, papa3902, alex61, novator75, Dr.FeelGoodRu, serg645
Тема заблокирована.
5 года 7 мес. назад 5 года 7 мес. назад от Константин.
Константин
Живу я здесь
Живу я здесь
Сообщений: 747
Больше
БТГ Владимира и Чипа #115285
kpyu3 в теме "БТГ Капанадзе теория и практика_2" пишет:

...используют индуктор, как пульсирующий постоянный магнит, толкающий носители заряда по съемному проводнику...

Чип говорил о магнитных волнах, воздействующих на носители в проводнике...

Но никто не обмолвился словом о том что такое магнитная волна.
Рекомендую информацию с сайта В. Горчилина о медленных магнитных волнах и резонансе второго рода. Крайне занимательно.
Медленные магнитные волны
Резонанс второго рода
Думаю эта информация может скорректировать направление поиска и поможет по-другому взглянуть на резонатор.
Спасибо сказали radioman, Access, vpk, Z80, nazar-ia-49, Dr.FeelGoodRu
Тема заблокирована.
5 года 7 мес. назад
Access
Завсегдатай
Завсегдатай
Сообщений: 217
Больше
БТГ Владимира и Чипа #115302
Константин, интересная информация.
nazar-ia-49, при работе системы в режиме медленных магнитных волн, можно настроить вторичную обмотку бифа на нечетную гармонику, к краям бифа подключить уединенные емкости, расположенные на разных высотах , снимая напряжение со вторичной обмотки трансформатора ,подключенного первичной обмоткой к точке соединения бифов с одной стороны, а заземлению с другой.
Тема заблокирована.
5 года 7 мес. назад
nazar-ia-49
Живу я здесь
Живу я здесь
Сообщений: 429
Больше
БТГ Владимира и Чипа #115342
В дополнение и продолжение очень интересной темы, поднятой Константином о медленных магнитных волнах:
Эта катушка тоже имеет ДВА резонанса по информации с сайта Скиф.Биз от 2008 года:

И в дополнение файл с подборкой информации по данной катушке во вложенном вордовском файле.

Также предлагаю вниманию форумчан схемы соединения катушек БИФ с кратким пояснение особенности их работы:


И в завершение прошу ознакомиться с пояснениями Мэтров по особенностям построения импульсных схем, что очень пригодится для изготовления окончательного варианта схемы управления ключеванием - в вордовском файле.

Удачи...
Вложения:
Спасибо сказали radioman, Олег, Не квадрат, novator75, Зелёный
Тема заблокирована.
5 года 7 мес. назад
Константин
Живу я здесь
Живу я здесь
Сообщений: 747
Больше
БТГ Владимира и Чипа #115388
Спасибо сказали tokar_ev
Тема заблокирована.
5 года 6 мес. назад
Зелёный
Заблокирован
Заблокирован
Сообщений: 180
Больше
БТГ Владимира и Чипа #116196
join.skype.com/mmdMk1yAWX1R - Skype группа для обсуждения...
И вот такое обьявление дал Чип 6 Январь 2019,В 8 Ч. 17 МИНУТ.
Открываются курсы по построению источника бестоплевной энергии . вступление в группу всего 500 рублей. обучение одна неделя. суточная стоимость 2000 рублей . минимальный состав группы 20 человек. курсы начнутся с 1 февраля . по всем вопросам обращаться в личку.
Тема заблокирована.
5 года 6 мес. назад
semis68
Новый участник
Новый участник
Сообщений: 19
Больше
БТГ Владимира и Чипа #116214

Зелёный пишет: join.skype.com/mmdMk1yAWX1R - Skype группа для обсуждения...
И вот такое обьявление дал Чип 6 Январь 2019,В 8 Ч. 17 МИНУТ.
Открываются курсы по построению источника бестоплевной энергии . вступление в группу всего 500 рублей. обучение одна неделя. суточная стоимость 2000 рублей . минимальный состав группы 20 человек. курсы начнутся с 1 февраля . по всем вопросам обращаться в личку.

Я не против пройти платный курс обучения. Сдерживает только ОТСУТСТВИЕ в сети видео, на котором была бы четко видна работа БТГ от ЧИПа. Конференции по 2 часа я видел, интересно, но ненаглядно, на других видео от ЧИПа не видно половину узлов и т.д. Боюсь, как бы платные курсы не выглядели как, Кулабоховские объяснялова не понятно чего.
Тема заблокирована.
Модераторы: spaceon
Время создания страницы: 0.161 секунд