БТГ Владимира и Чипа

8 года 8 мес. назад 8 года 8 мес. назад от creasysee.
creasysee
Давно я тут
Давно я тут
Сообщений: 81
Больше
БТГ Владимира и Чипа #92828

Engine пишет: А чо думать, убирай затворный резистор, получишь от 2 до 5нс:woohoo:

Ясен пень, только ведро с горелыми мосфетами и драйверами уже полное. Не менять же машину, коли пепельница через край :woohoo:

P.S. там и так 3,3 Ома, точно не помню. Лоханулся - купил преобразователи 220->12. Надо было 220->18. Еще помучаю этот драйвер на досуге. Хотя для той установки расчетные 50 нс были. Так что этот драйвер уже не годится. Надо что-то лавинно-туннельное.

P.P.S. Можно будет поставить транзистор послабее, с меньшей ёмкостью затвора. Здесь вроде заявлено до 100Вт по входу. Тогда может удастся до 20нс дотянуть.

Тема заблокирована.
8 года 8 мес. назад 8 года 8 мес. назад от 1q2w3e4r.
1q2w3e4r
Давно я тут
Давно я тут
Сообщений: 109
Больше
БТГ Владимира и Чипа #92837
P.P.S. Можно будет поставить транзистор послабее, с меньшей ёмкостью затвора. Здесь вроде заявлено до 100Вт по входу. Тогда может удастся до 20нс дотянуть.[/quote]

С использованием оптрона FOD3180 на базе транзистора 2SC5200 получил фронт запирания (спад напряжения) в 20 нс на частоте 300 кгц.
Спасибо сказали val_128, creasysee
Тема заблокирована.
8 года 8 мес. назад 8 года 8 мес. назад от f100f.
f100f
Новый участник
Новый участник
Сообщений: 14
Больше
БТГ Владимира и Чипа #92871

Alvis пишет:

creasysee пишет:

Мир пишет: .

И еще, в одном видео он говорит что катушки расположены ортогонально (резонатор и биф)

Очень даже логично, если рассматривать бифиляр как переменный электромагнит - см. Теслатехника ч4 tarielkapanadze.ru/kelly5-4.htm
МП бифа вытесняется в ортогональную плоскость.
Спасибо сказали tokar_ev, черкес, creasysee, novator75
Тема заблокирована.
8 года 8 мес. назад
Andrey45
Осваиваюсь на форуме
Осваиваюсь на форуме
Сообщений: 21
Больше
БТГ Владимира и Чипа #92879

creasysee пишет:

Engine пишет: А чо думать, убирай затворный резистор, получишь от 2 до 5нс:woohoo:

Ясен пень, только ведро с горелыми мосфетами и драйверами уже полное. Не менять же машину, коли пепельница через край :woohoo:

P.S. там и так 3,3 Ома, точно не помню. Лоханулся - купил преобразователи 220->12. Надо было 220->18. Еще помучаю этот драйвер на досуге. Хотя для той установки расчетные 50 нс были. Так что этот драйвер уже не годится. Надо что-то лавинно-туннельное.

P.P.S. Можно будет поставить транзистор послабее, с меньшей ёмкостью затвора. Здесь вроде заявлено до 100Вт по входу. Тогда может удастся до 20нс дотянуть.

Пока не поставишь двунаправленный супрессор в затвор будут гореть как семечки., паралельно резистору с драйвера на затвор нужен диод, обязательно!!! Напряжения заряда и разряда затворной ёмкости должны идти по разным путям.
Спасибо сказали черкес, val_128
Тема заблокирована.
8 года 8 мес. назад
creasysee
Давно я тут
Давно я тут
Сообщений: 81
Больше
БТГ Владимира и Чипа #92892

1q2w3e4r пишет: С использованием оптрона FOD3180 на базе транзистора 2SC5200 получил фронт запирания (спад напряжения) в 20 нс на частоте 300 кгц.


При каком токе? Какое напряжение на вторичке и какая величина ограничительного напряжения?

Тема заблокирована.
8 года 8 мес. назад
creasysee
Давно я тут
Давно я тут
Сообщений: 81
Больше
БТГ Владимира и Чипа #92893

Andrey45 пишет: Пока не поставишь двунаправленный супрессор в затвор будут гореть как семечки., паралельно резистору с драйвера на затвор нужен диод, обязательно!!! Напряжения заряда и разряда затворной ёмкости должны идти по разным путям.


Супрессор стоит. Он не защищает от тока в затвор.

Мне кажется мы о разных мощностях говорим. Без токоограничительного затворного резистора в цепи диода нельзя - драйвер сгорит. При емкости затвора 8 нан и заряде 200 нк ток превысит 5 ампер (считать надо, сейчас лень) . А драйвер на 4 ампера.

Если мы говорим о токах в затворе до 1-2 ампер, тогда другое дело.

С DE475-102N21A мне полегче будет, у него 160 нк заряд и 5,5 нан емкость.

Тема заблокирована.
8 года 8 мес. назад
1q2w3e4r
Давно я тут
Давно я тут
Сообщений: 109
Больше
БТГ Владимира и Чипа #92894

creasysee пишет:

1q2w3e4r пишет: С использованием оптрона FOD3180 на базе транзистора 2SC5200 получил фронт запирания (спад напряжения) в 20 нс на частоте 300 кгц.


При каком токе? Какое напряжение на вторичке и какая величина ограничительного напряжения?


Проверялось при постоянном напряжении на транзисторе 23в и начальном токе транзистора 2А
Тема заблокирована.
8 года 8 мес. назад 8 года 8 мес. назад от creasysee.
creasysee
Давно я тут
Давно я тут
Сообщений: 81
Больше
БТГ Владимира и Чипа #92904

1q2w3e4r пишет: Проверялось при постоянном напряжении на транзисторе 23в и начальном токе транзистора 2А

Начальный ток коллектора? Что-то знакомое... Измеряется при замкнутых БЭ, типа утечки... Эх, терминология...
23В /2А = 11,5 Ом токоограничение, многовато.

Хотя здесь потребление 100Вт всего. Значит ограничительное сопротивление при 25В должно быть 6 ом. И рассчитывать на токи 4А. Непрерывные. Импульсные, в зависимости от скважности. А поскольку транзистор большую часть времени открыт (не думаю, что это активный режим, выше где-то упоминалось) и излишки тепла выходят на гасящем сопротивлении.

Не эффективно. Если бы я схему проектировал, ключ впаял бы параллельно гасящему резистору. И инвертировал бы управление. Токи были бы высокие в импульсе, но по среднему не более тех же 4А. Но замыкалось бы будь здоров. Надо будет попробовать.

Чем, кстати, не ортогональные катушки? Эффективней, чем просто под 90˚.
ВНИМАНИЕ: Спойлер! [ Нажмите, чтобы развернуть ]

Вложения:
Тема заблокирована.
8 года 8 мес. назад 8 года 8 мес. назад от 1q2w3e4r.
1q2w3e4r
Давно я тут
Давно я тут
Сообщений: 109
Больше
БТГ Владимира и Чипа #92905

creasysee пишет:

1q2w3e4r пишет: Проверялось при постоянном напряжении на транзисторе 23в и начальном токе транзистора 2А

Начальный ток коллектора? Что-то знакомое... Измеряется при замкнутых БЭ, типа утечки... Эх, терминология...
23В /2А = 11,5 Ом токоограничение, многовато.

Хотя здесь потребление 100Вт всего. Значит ограничительное сопротивление при 25В должно быть 6 ом. И рассчитывать на токи 4А. Непрерывные. Импульсные, в зависимости от скважности. А поскольку транзистор большую часть времени открыт (не думаю, что это активный режим, выше где-то упоминалось) и излишки тепла выходят на гасящем сопротивлении.

Не эффективно. Если бы я схему проектировал, ключ впаял бы параллельно гасящему резистору. И инвертировал бы управление. Токи были бы высокие в импульсе, но по среднему не более тех же 4А. Но замыкалось бы будь здоров. Надо будет попробовать.


Все делалось по Чипу! В паузах между запирающими импульсами транзистор приоткрыт на 2А (транс насыщается), а потом происходит быстрое закрытие транзистора (для выброса радианта или ОЭДС? на резонатор).

Спасибо сказали creasysee
Тема заблокирована.
8 года 8 мес. назад
creasysee
Давно я тут
Давно я тут
Сообщений: 81
Больше
БТГ Владимира и Чипа #92965

1q2w3e4r пишет: Все делалось по Чипу!

Этого мало :) Хочу понимать)) Я думаю, не один я хочу.

Видится мне, что 100-ваттный транс не войдет в насыщение двумя амперами. Если взять более слабый, то после снятия насыщения (закрытия транзистора) скорость роста тока/напряжения будет низкой, связано с остаточной индукцией.

1q2w3e4r, вы уверены, что насыщение должно быть? Это важное условие? Меня смущает низкая скорость входа/выхода трансформатора в/из режима насыщения.

Тема заблокирована.
Модераторы: spaceon
Время создания страницы: 0.080 секунд