Инвертор синус 50 Гц своими руками

Ток там все равно какое то время есть. Когда вы включаете дроссель через него начинает нарастать ток и расти магнитное поле. Как только вы размыкаете ключ происходит падение тока а значит магнитное поле сокращается. Возникает самоиндукция в меняющемся магнитном поле. Самоиндукция вызывает ток, который течет через обратные диоды в мосфетах.

ПС: сам принцип действия ШИМа с дросселем основан на том, что индуктивность не расходует энергию а накапливает ее в виде магнитного поля и в момент отключения дросселя, накопленная энергия возвращается в нагрузку. В противном случае, КПД устройства был бы недопустимо низким при ограничении напряжения.

ППС: есть микросхемы понижающих/повышающих стабилизаторов. Для них существует ограничение скважности (как правило до 80% или меньше). Потому что индуктивность должна успеть отдать всю энергию в нагрузку. Если скважность становится больше 80% то энергия в джоулях пытается уйти за короткий промежуток времени. И чем короче промежуток времени, тем больший ток приходится на диоды.

вследствие этого несовершенства схемы выходят из строя как китайские инверторы на ее основе, так и у энтузиастов с этого форума. Какой смысл повторять эту схему, если есть более надежные, например с двумя шунтами или с гальванически развязанным датчиком тока

схема эта китайская работает отлично
и защита отрабатывает на все 100)))
а горят ключи у (Энтузиастов) от того что не слушают когда им говорят как надо делать и что использовать))))
и начинают лепить отсебячину!

Эталон+ пишет: схема эта китайская работает отлично
и защита отрабатывает на все 100)))

А на КЗ проверяли как я писал?

на всех режимах проверялась

я много раз говорил
НЕ СТАВЬТЕ ПОЛЕВИКИ НА ВЫСОКОВОЛЬТНОЙ ЧАСТИ
только IGBT и не будет никаких проблем!

Эталон+ пишет: я много раз говорил
НЕ СТАВЬТЕ ПОЛЕВИКИ НА ВЫСОКОВОЛЬТНОЙ ЧАСТИ
только IGBT и не будет никаких проблем!

А вы хорошо себе представляете разницу между IGBT и MOSFET?

ПС: вы случайно IGBT параллельно ставить не собирались для увеличения мощности?

А что IGBT нельзя параллельно ставить?

MegaVolt пишет: А что IGBT нельзя параллельно ставить?

Почитайте документацию. IGBT это биполярный транзистор, управляемый маломощным полевым транзистором. У биполярных транзисторов с ростом температуры падает напряжение насыщения (возьмите обычный диод и через резистор подайте напряжение. Затем нагрейте паяльником и увидите что напряжение падает). А поскольку напряжение насыщения у всех транзисторов разное ( не бывает двух транзисторов с одинаковым напряжением, оно не намного, но отличается), то всегда в группе из параллельных найдется транзистор с самым низким напряжением насыщения. Именно через него будет расти ток больше всех остальных и он выйдет из строя первым. В свою очередь MOSFET имеет противоположные свойства. Это управляемый резистор. На нем при росте температуры напряжение растет. Поэтому у них название easy scaling (легкое масштабирование при параллельном соединении). Значит если кто то берет больший ток, то при нагреве ток снижается и присоединенные параллельно транзисторы делят ток между собой равномерно.

+ IGBT имеет все недостатки биполярного транзистора. Заваленные фронты при переключении, поскольку для выключения биполярного транзистора надо подавать на базу обратное напряжение, а у IGBT нет доступа к базе. Из корпуса выходит только затвор и отрицательное напряжение на базу не проходит. Большое напряжение насыщения ( как следствие большая мощность потерь при нагреве) поскольку напряжение на базу попадает с коллектора через полевой транзистор, а значит к напряжению насыщения добавляется напряжение база-эмиттер.

Что за бред вы несете про IGBT??
смотрите схемы промышленные инверторов
меньше будет вопросов
прекрасно они паралеляться и

это не совсем биполярник))))