Инвертор синус 50 Гц своими руками

Вот фотка ИГБТ модуля трех фазного 120А 1200в и там видно кристалы и диоды их можно и откусить кусачками и будет без диода.а это вам надо?!

на один силовой выход идёт 6 проволочек на другой 5 на третий 4
и через эти проволочки 120А должно прокачивать, если правельно понял.

вот откусите это отдельный диод и прозвоните ключ без него))))
может тогда будет меньше дискуссий о паразитных диодах))))

В полевиках этот диод на одном кристалле с затвором, стоком и истоком, мешает коммутировать переменку.
Соскакивать на IGBT нехорошо, говорили уже про это.

Мост из запертых полевиков образует обычный диодный выпрямитель. Если нагрузка перешла в генераторный режим, а шина питания (кондёры или АКБ) зарядились до макс. напряжения полевиков, будет взрыв.
Поэтому некоторые 3Ф модули для электропривода содержат тормозной резистор, управляемый своим ключом. Его задача - переводить лишнюю энергию в тепло.

"Самое главное в использовании этого паразитного диода - это не давать ему никогда открыться"
electronix.ru/forum/lofiversion/index.php/t79964.html
Речь видимо про высокие частоты, на 50Гц кроме потерь прямого напряжения к тем диодам вопросов нет.

В закромах нашёл e13009-2 пару десятков. Где применить?

tima пишет: В закромах нашёл e13009-2 пару десятков. Где применить?

В высоковольтном мосту, нарезающем меандр или синус.
Примерно 1 шт на 500Вт вых. мощности (если без резинок на радиатор ставить или через тонкую слюду). Через резинки - 200 Вт макс..
Биполярники сложно параллелить через выравнивающие эмиттерные резисторы и "раскачивать" базы значительными токами.

Yuriy пишет: Это не я придумал, это в википедии написано.

Из многих прочитанных книжек у меня в памяти отложилось, что в полевиках ("ключах") диод именно паразитный.

Паразитная емкость перехода транзистора..И чем больше эта самая емкость,тем больше выделяется тепло на кристалле транзистора при коммутации..
С увеличением частоты коммутации,тепловыделения кристалла увеличиваются.
С учетом выше сказанного,можно сделать некоторые выводы относительно построения выходной силовой части формирования синуса
А именно,при нарезке синуса для уменьшения нагрева можно попробовать поставить в высокочастотную ее часть поставить IGBT транзисторы.
Таким образом,мы в разы должны уменьшить нагрев двух ключей,относительно ключей работающих в низкочастотном диапазоне.
(как идея)...
Насчет диода..
Технология изготовления тут виновата..
Выдержка..
При соединении подложки полевого транзистора с истоком один p-n переход (паразитного биполярного транзистора)закорачивается и остается только второй p-n переход. В некоторых полевых транзисторах производитель намеренно создаёт диод Шоттки параллельно паразитному.
Так что,сам диод не паразитный,паразитные переходы биполярного транзистора..
Все это давным давно описано в соответствующей литературе..Что тут спорить?

А ещё каждая нога имеет паразитную индуктивность
Но при коммутации переменки полевиками сильнее всего мешает ДИОД.

someuser пишет: А ещё каждая нога имеет паразитную индуктивность
Но при коммутации переменки полевиками сильнее всего мешает ДИОД.

Да,конечно....Но это не проблема диода...
Это ваша проблема,что вы его используете там где используете.
Поясню..на примере нашего злосчастного диода...Вот у него действительно есть "паразит"...Это его емкость перехода.
А сам диод,есть элемент схемы(пусть и встроенный).
Паразитность элемента,она применительно к самому элементу..Но не как не к схеме включения .

Yuriy пишет:

ION пишет: Так что,сам диод не паразитный,паразитные переходы биполярного транзистора..

И вы хотите сказать что на этих паразитных переходах получается полезный диод?

Если диод туда намеренно вставили - то зачем, он сильно тормозит временные характеристики диода и область применения.


Некоторым полезно будет знать разницу между IGBT от mofset.
В IGBT диод намеренно вставили чтобы IGBT не "вылетел ".

И вы хотите сказать что на этих паразитных переходах получается полезный диод?
Полезность(не полезность) чего либо,обусловлена только вашими критериями..
Если диод туда намеренно вставили - то зачем, он сильно тормозит временные характеристики диода и область применения.
Даташит производителем не зря дается...Область применения,вы согласно характеристикам,выбираете сами..В конечном счете,поставьте более быстрый диод параллельно переходу.
Некоторым полезно будет знать разницу между IGBT от mofset.
Мы не только это знаем..Разница не только в этом!