Есть такая особенность полевых транзисторов. Обычно они при 4-5 вольтах начинают открываться. При 8 почти полностью открыты. И то что нужно разряжать их до 0, это какбы загружает и драйвер и особенно нехорошо, сам транзистор, от чего он на высокой частоте начинает греться может даже перегореть не от токов силовых, а от разогрева затвора.
С 8 вольтами то попроще, достаточно поставить 8 вольт стабилизатор, а не 12 вольт и проблема решена. А вот как разряжать не до 0, а до 2 вольт например, тут посложнее, думаю. Вот было бы идеально, если бы при 2-3 вольтах транзистор открывалься, а при 6 вольтах был бы полностью почти открыт. Тогда можно было бы поставить 6 вольт стабилизатор и сильно снизить нагрузку на затвор при высокой частоте.
Например для перезаряда ёмкости на 10 мегагерц 1,5 нф, её сопротивление тогда будет 10,6 ом нужно при 12 вольтах (12\10,6=1,13А. 1,13х12=13,58) 13,58 ватт.
При 8 вольтах нужно 6 ватт. При 6 вольтах нужно было бы 3,4 ватта.
А ёмкость затвора от того грееться, что она имеет какое-то сопротивление и оно обычно где-то 1,5-2 ома. И это не зависит от ёмкости затвора, насколько я заметил. Поэтому с малой ёмкостью затвора транзисторы будут меньше греться на той же частоте.
А при 12 вольтах и 5 мегагерцах и 1,5 нф ёмкости сопротивление реактивное будет 21,2 ома. Поэтому мощьность будет 6,8 ватт. Значит при 8 вольтах будет 3 ватта, а при 6 вольтах 1,7ватта. Но это примерные цифры. Потому что как писал, ещё есть сопротивление затвора около 1,5-2 ома. Плюс ещё ставят резистор 1-2,2 ом в затвор. И ещё сам драйвер имеет выходное сопротивление поднимающего транзистора и опускающего. Поднимающий транзистор имеет сопротивление обычно от 0,6 ом до 15 ом, а опускающий от 0,4 до 2,3 ом.
Можно ещё от поднимающего транзистора поставить 4,7 ома резистор в затвор, а к закрывающему напрямую или через диод и подать тогда питание 12 или 15 вольт (но зато будет больше нагрузка на драйва поднимающий транзистор, поэтому нужен либо хороший драйвер с малым сопротивлением поднимающего транзистора, либо самодельный, на высоких частотах). Будет, конечно, греться очень сильно резистор на 4,7 ома на 5-10 мегагерцах (при ёмкости 1,5 нф, к примеру, и в пустую какбы тратиться энергия на резистор), но зато будет саморегуляция, при низких частотах затвор будет заряжаться до 12-15 вольт, а при высоких уже затвор сможет не успевать заряжаться до 12 вольт и он будет заряжаться до 9 вольт, например, при 7 мегагерцах, а при 10 мегагерцах например до 6-7 вольт. И так, думаю, меньше шанс будет сжечь транзистор от перегрева затвора. И при низких частотах затвор будет полнее заряжаться и меньшее сопротивление канала будет транзистора и вследствие меньше транзистор будет греться и меньше потерь. А на высоких частотах (5-10 мегагерц) как правило и не надо большой мощьности (20-100 ватт), поэтому нестрашно. И когда в затворе будет 4,7 ом резистор, тогда может меньше паразитных всяких токов будет возле транзистора ходить и всяких резонасных цепей возникать с ёмкостями транзистора.
Если я где-то допустил ошибки вдруг, то можно поправить.
Оптимист и на кладбище видит одни плюсы (не кресты).
