Как, мне думаеться, можно повысить КПД преобразователей на полумосте и мосте.

1 год 2 нед. назад
Святолуг
Модератор
Модератор
Сообщений: 1647
Больше
Автор темы
Как, мне думаеться, можно повысить КПД преобразователей на полумосте и мосте. #84934
В том числе и всяких генераторов синуса на полумосте или мосте на классе Д и инверторов на 50 герц с чистым синусом на полумосте или мосте.

Оптимист и на кладбище видит одни плюсы (не кресты).
Вложения:

Пожалуйста Войти или Регистрация, чтобы присоединиться к беседе.

1 год 2 нед. назад
Сидорович
Давно я тут
Давно я тут
Сообщений: 88
Больше
Как, мне думаеться, можно повысить КПД преобразователей на полумосте и мосте. #84976
Святолуг, мыслите совершенно верно. Однако, все это можно прочитать в учебниках.
Спасибо сказали Святолуг

Пожалуйста Войти или Регистрация, чтобы присоединиться к беседе.

1 год 2 нед. назад 1 год 2 нед. назад от Святолуг.
Святолуг
Модератор
Модератор
Сообщений: 1647
Больше
Автор темы
Как, мне думаеться, можно повысить КПД преобразователей на полумосте и мосте. #84979

Сидорович пишет: Святолуг, мыслите совершенно верно. Однако, все это можно прочитать в учебниках.

Только почему не ставят диоды шотки на полумостах на низковольтных особенно схемах и высокочастотных паралельно встроенным диодам, если, по моему так можно сильно (1-10 проц.) повысить кпд при том? При том, тогда, думаю и снаберы становяться не нужны, особенно, на полумосте. На мосте там должны оба транзистора одновременно закрываться и открываться, что идеально сделать особенно на высоких частотах, по моему будет сложно, поэтому там снабер, думаю, на всякий случай можно поставить. А вот на полумостовой схеме транзисторы всегда открываються по очереди и если постаить очень быстрые диоды с низким падением напряжения и чтоб они деражали большой ток (потому что при нагреве у них частота рабочая уменьшаеться и они хуже выпрямляют, поэтому они должны держать большой ток и не греться), как правило это шотки, то можно обойтись без дремфером, снаберов. Зачем они (дремферы-снаберы)? Как не крути, хоть какие там пульсации возникнут, всё будет уходить через диоды и либо через какой транзистор либо на конденсатор (на котором 25 вольт по схеме), либо на питание (С1 по схеме). А на полном мосте один транзистор может раньше закрыться из пары и тогда ОЭДС несколько сможет не туда пойти и закоротиться ОЭДС, и будут некоторые потери (на транзисторе, на диоде и на катушке), плюс шумы всякие могут появиться, по моему.

И ещё полумост по моему лучше чем мост по этим причинам. Легче управлять, меньше транзисторов. Если на полумосте нужен транзистор, который два раза больше ток держал, то зато в полном мосте два транзистора одновременно открываються и одновременно потери 2 раза больше. Если например в полумосте один транзистор открылься и через него идёт ток 20 ампер, а его сопротивление 0,1 допустим, а на полном мосте 10 ампер и обоих сопротивление 0,2 ома, то в первом сллучае 2 вольта падение напряжение и 40 ватт потерь, а во втором 2 вольта и на 10 ампер, 20 ватт потерь. Какбы меньше потерть получаеться на мосте. Но зато на полумосте можно поставить ниже напряжения транзистора. Потому что только в начальный период верхний транзистор по моей схеме в первом сообщении сможет работать с напряжением 50 вольт, а дальше он уже будет работать с напряжением 25 вольт. А нижний транзистор всегда будет работать с напряжением 25 вольт. Поэтому если на полном мосте транзисторы применить на 90 вольт при 50 вольт питании. То на полумостовой схеме верхний транзистор можно применить на 60 вольт, а нижний на 30 вольт, даже если оба на 60 применить. Всё равно то на то, почти получиться. Конечно, можно и мостовой схеме применить на 60 вольт все 4 транзистора, но там, как упоминал, труднее ловить ОЭДС и может один ключ из пары быстрее закрыться чем другой и тогда может это повредить например может транзистора внутренний диод, либо внешний, хотя это тоже по моему мало вероятно, это только если на 100 и выше килогерц использовать и разные транзисторы и разные драйверы, когда не одинакого пары транзисторы будут закрываться. Но всё равно можно для полумоста, по моему, ставить более низковольтные транзисторы, там ведь перезагрузка для верхнего транзистора будет только в самом начале, пока конденсатор моста разряжен и его сопротивление очень малое и по транзистору практически потечёт ток 50 вольт, если питание 50 вольт. Хотя обычно транзисторы держат выше напряжение, чем в даташите пишут. Например IRFP260N по даташиту 200 вольт, а кто-то проверял, что он даже работает, насколько помню, и на 800 вольт! А на полном мосте, они уже честно будут работать на 50 вольт постоянно, если питание 50 вольт, хотя там зато они последовательно включенны, но всё равно их не ставят на 30 вольт, если питание 50 вольт почему-то. Всётаки полный моост имеет свои плюсы, основной, это что на полумосте почти в 2 раза меньше потерь на транзисторах, поэтому на полумосте... хотя вообще нет. Я не правильно посчитал. Если Использовать то самое количество транзисторов и одинаковые транзисторы то потерь будет одинаково.
Допустим, транзисторы будут с сопротивлением 0,1 ом и 50 вольтовые все. На полумосте для одной пары понадобяться 2 транзистора последовательно работающие. И сопротивление ихбудет 0,2 ома. Для полумоста их можно паралельно включить и сопротивление будет 0,05 ома. Ток для моста будет 20 ампер допустим. Для полумоста, нужен в два раза больше ток, так как будет в два раза ниже напряжение - 40 ампер. Теперь потери на транзисторах для моста.
0,2ом*20А=4 вольта падение напряжения. И 4 умножить на 20 ампер будет 80 ватт потерь. На полумосте 0,05ом*40 ампер=2 вольта падение напряжения на транзисторах. И 2*40=80 ватт потерь. Те же самые потери, как и у моста. Поэтому вообще тогда не вижу особых плюсов моста! Единственный плюс, что если делать большой трансформатор на высокой частоте. То допустим на мосте понадобяться 4 витка на первичной допустим при питании 24 вольт, к примру, а для полумоста понадобяться два витка. И их нужно как-то из многих жилок сделоть и это сложнее. Плюс ещё должны идти толще провода от катушки к транзисторам, либо толще дорожки на плате. И ещё если частота низкая и напряжение понадобиться ёмкость большая полумоста, что электролиты вообще придёться ставить. Но это только на низких частотах и на низких напряжениях, а так, думаю, эти недостатки - мелочь по сравнению со сложностью моста и с управлением моста, плюс ещё нужно, чтоб одинакого закрывались транзисторы парные моста, чтоб ОЭДС хорошо могла впитаться, если особенно, сердечник с зазором, то там выше ОЭДС будет, чем без, зазора, по моему. И особенно, если он не качественно намотан, по моему.
Ещё маленький минус полумоста этой схемы, что в первом сообщение, что немного неравномерный будет сигнал на выходе и верхний транзистор будет больше загружаться, похоже, что 2 раза. Ведь он должен и зарядить конденсатор и через катушку отдать энергию. А нижний транзистор только разряжает конденсатор отдавая энергию от катушки. Хотя всётаки наверное, они одинаково будут нагружаться, только верхний заряжать конденсатор, а нижний разряжать. Если представить вместо катушки сопротивление, то без разницы будет или разряжать или заряжать конденсатор через сопротивление. Ток будет тот самый. Только чем меньше ёмкость конденсатора будет, тем будет больше подниматься напряжение на конденсаторе при заряде и уменьшаться ток и тем больше будет опускаться напряжение при разряде конденсатора и опять же опускаться ток, такая нелинейность некоторая будет, не совсем чистый меандр. Но чем больше ёмкость конденсатора будет (на котором 25 вольт подписанно, по первой схеме), тем он чище будет. Но, думаю, это мелочь (что не совсем чистый меандр будет).

Оптимист и на кладбище видит одни плюсы (не кресты).

Пожалуйста Войти или Регистрация, чтобы присоединиться к беседе.

Модераторы: Святолуг