БТГ Владимира и Чипа
Перед замыканием клуча F, конденсаторы H заряжаются с током I, созданным противоположными потоками от катушки M. Сложная энергия поля сохраняется в конденсаторах H из-за полного отсутствия потока электронов во вторичной стороне. В момент замыкания переключателя F или t = 0 сек, поток постоянного тока протекает через катушку K, разряжая конденсаторы H. Очень большой комплексный электрический потенциал наблюдается через вторичную катушку L.
Вроде бы на основе этово патента Теслы проводился злополучный Филадельфийский эксперимент.
Alvis пишет: Before switch F closure, capasitors H are charged with complecx current I, produced by opposing flux from coil M. Complex field energy is stored in capasitors H due to complete absence of electron flow in the secondary side. At the moment of switch F closure, or t=0 sec., a complex DC impulse current flows trough coil K, discharging capasitors H. A very large complex electric potential is observed across secondary coil L.
Перед замыканием клуча F, конденсаторы H заряжаются с током I, созданным противоположными потоками от катушки M. Сложная энергия поля сохраняется в конденсаторах H из-за полного отсутствия потока электронов во вторичной стороне. В момент замыкания переключателя F или t = 0 сек, поток постоянного тока протекает через катушку K, разряжая конденсаторы H. Очень большой комплексный электрический потенциал наблюдается через вторичную катушку L.
Вот что написано об этом патенте в книге патентов Теслы.
Что делает ключ? При его замыкании трансформатор переходит в режим короткого замыкания, т.е во вторичке течет ток максимальный для данного трансформатора. Чем больше этот ток, тем нам лучше. Чип еще ставит емкость на первичку для достижения параллельного резонанса 50 гц в первичке, тем самым увеличивая возможность повышения тока КЗ во вторичной обмотке.
При размыкании ключа току во вторичной обмотке деваться некуда и на концах обмотки возникает импульс ОЭДС значительной амплитуды. Его величина зависит именно от тока, протекавшего в обмотке при КЗ. Никакие ограничительные резисторы в схеме не нужны. 460-й мосфет 20 ампер спокойно скушает, а вот импульс ОЭДС легко может превысить допустимое напряжение транзистора, и желательно параллельно ключам поставить стабилитроны вольт на 400.
В итоге на выходе схемы получается осцилка Чипа, ощетинившаяся волосами синусоида. Если кто то думает, что происходит нарезка синусоиды, ошибается. Происходит именно ощетинивание синуса с пиками напряжения в сотни вольт и частотой от генератора управления мосфетами. Подбирая эту частоту и скважность добиваемся максимального выхлопа.
Как получите этот эффект, будем двигаться дальше. И еще, очень рекомендую ознакомиться с темой Мирва. Эти опыты были проведены еще лет 7 назад.
Если внимательно посмотрите схемы Тесла, то увидите, что у Чипа то же самое, только на современной элементной базе без разрядников.