Анализ Установки с качером

XYAMAN пишет: Передача энергии от одной катушки к другой не даст никакой прибавки. Для прибавки энергии надо создать поле которое начнет притягивать энергию, собирая ее с больших объемов пространства в сторону установки, затем преобразовать эту энергию в ЭМИ и только тогда ее снять. И надеяться что затрачено на создание всех полей будет меньше чем собрано.

Если не вкурсе, то скажу что свойство притягивать энергию к источнику излучения есть только у одного поля - торсионного. У электромагнитного поля только лишь свойство отталкивать и расширяться. Т.е. когда ЭМ поле создается в излучателе или резонаторе оно тут же старается излучить во все стороны энергию. Ее можно сконцентрировать в боле менее направленный луч или дипольный луч, но все равно суть его это разнести энергию как можно дальше. Т.е. означает для нас однозначно потери!

Поэтому всякие теслы, гранаты, горшки, это все лажа и полная туфта!

Единственно верным будет создание торсионного поля посредством особых конфигураций магнитных и электромагнитных полей. Как и притягивание энергии этим торсионным полем к преобразователю .
Т.е. усилитель энергии должен иметь такую структурную схему:
1. Генератор торсионного поля
2. Излучатель его на принципе преобразования ЭМИ в торсионку.
3. Резонатор усилитель торсионного поля в котором будет происходить усиление торсионого поля за счет притянутого поля
4. Преобразователь торсионого поля уже усиленого, в электромагнитное поле.
5. Преобразователь ЭМ поля в переменный ток.

Думаю что многих смущает термин торсионное поле. Тогда можете его смело заменить на вращающееся магнитное поле.

Если создать такое поле нет большой проблемы, из двух перпендикулярных МП, со сдвинутой фазой,о обратное преобразование может быть проблемой.

Думаю проще всего если это будет типа мотор трансформатор.

Мысли интересные, но торСИОНное поле не нужно, достаточно обойтись обычным электромагнитным полем и отдельно электрическими зарядами и отдельно магнитными, достаточно всего лишь разложить заряды на отдельно магнитные и отдельно электрические, а потом их сложить. В момент разложения добавить из вне к электрическим электрические к магнитным магнитные, а потом все сложить и получить то что взяли с источника + то что добавили в результате сложения.

Электрические заряды (напряжение) земля , поляризация минус, правый спин.
Магнитные заряды (ток) электростатика, поляризация плюс, правый спин.

Saeed пишет:

aninsho пишет:

Saeed пишет: .... IR4452 никто даже не нюхал.

Нету такого IR4452, но есть такой TC4452.

вот и я говорю нету. А в схеме есть.

Понятно, что автор схемы ошибочно указал название. всегда все необходимо проверить.

См. например:
STW15N95K5N-channel 950 V, 0.41 Ohm typ., 12/48 A, 250W, 855 пф, 27 nC;
STW20N95K5N-channel 950 V, 0.275 Ohm typ., 17.5/70 A, 250W, 1500 пф, 40 nC

Вот потратил пару минут что бы посмотреть по вашему совету, и можете себе представить - нет таких. Посему я предпочитаю больше времени уделять экспериментам а не поискам характеристик транзисторов и собственно поискам их наличия, сродни пустой трате времени. Тем более что разница на которую вы указали крайне несущественна. Поэтому если вы не лентяй то не занимайтесь чепухой, пользуйтесь рекомендациями тех кто уже много чего перепробовал и в последствии запустил установку, а потом уже ищите оптимальные решения.

Converter пишет: Посмотрите в вашем любимом магазине упомянутую мной постом выше альтернативу: www.chipdip.ru/product/stw6n95k5/
Сравните цены, потом датшиты и сделайте правильные выводы.
Toshiba 2sk2611 - 210 руб.
lib.chipdip.ru/222/DOC000222404.pdf

ST Microelectronics stw6n95k5 - 120 руб.
www.st.com/st-web-ui/static/active/en/re...sheet/CD00261184.pdf

_{Просто если взять следующий по рассеиваемой мощности транзистор ST, то он уже будет чрезмерно мощней сравниваемого Toshiba, хотя в управлении все одно останется в разы легче последнего (и не представлен в вашем магазине).
См. например:
STW15N95K5N-channel 950 V, 0.41 Ohm typ., 12/48 A, 250W, 855 пф, 27 nC;
STW20N95K5N-channel 950 V, 0.275 Ohm typ., 17.5/70 A, 250W, 1500 пф, 40 nC}

VladimirFM пишет:

См. например:
STW15N95K5N-channel 950 V, 0.41 Ohm typ., 12/48 A, 250W, 855 пф, 27 nC;
STW20N95K5N-channel 950 V, 0.275 Ohm typ., 17.5/70 A, 250W, 1500 пф, 40 nC

Вот потратил пару минут что бы посмотреть по вашему совету, и можете себе представить - нет таких. Посему я предпочитаю больше времени уделять экспериментам а не поискам характеристик транзисторов и собственно поискам их наличия, сродни пустой трате времени. Тем более что разница на которую вы указали крайне несущественна. Поэтому если вы не лентяй то не занимайтесь чепухой, пользуйтесь рекомендациями тех кто уже много чего перепробовал и в последствии запустил установку, а потом уже ищите оптимальные решения.

В четверо ниже входная емкость и вдвое ниже цена (при том же рабочем токе и напряжении) - и это "несущественно"? Я вам дал ссылку на наличиствущий товар! _{(www.chipdip.ru/product/stw6n95k5/)} в том же магазине, где вы свое старье 2sk2611 вдвое дороже купили, но на спекулянтах из "chipdip" свет клином не сошелся, умные люди там деньгами не сорят.

XYAMAN пишет: а если IKW15N120H3

Об IGBT - забудьте. Это составной транзистор, который ввиду своей составной структуры способен только более-менее быстро открываться, током через встроенный управляющий MOSFET, а быстро закрыть его принципиально нечем, т.к. нет внешнего доступа к базе силового биполярного ключа для форсирования закрытия.



Пороговое напряжение отпирания мало влияет на быстродействие, здесь важна "крутизна входной характеристики управления". И есть еще очень много факторов, ограничивающих dU/dt транзистора.

XYAMAN пишет: у него между колектором и эммитером от 2 до 2.7 вольта при 15 амперах, а у ваших мосфетов при 10 амперах уже 4 вольта будет у одного, а у второго 2.7 вольта
Соответственно падение при тока около 30 ампер уже приличное.

Просто возьмете MOSFET с меньшим сопротивлением канала.
Сильной стороной фетов против биполяров является возможность эффективной работы в низковольтных цепях. Так, если взять популярный и недорогой MOSFET IRF3205 (www.irf.com/product-info/datasheets/data/irf3205.pdf) - он имеет сопротивление канала всего 8 миллиом (0,008 Ом), что даст падение напряжения на нем при токе 20 А всего - 0,16 В. В то время, как никакой биполярный транзистор не будет иметь (даже в насыщении - когда о быстродействии вообще речь не может идти) меньше, чем 1 В, _{а реально, например для КТ819 при токе коллектора 20 А напряжение насыщения = 4...5 В lampilich.narod.ru/tr/b_big/kt819.html .}

Converter по идее игбт продумывались для совместимости высоких напряжений, токов и быстродействия...
Не надо пугать людей

Viaceslav_C_ пишет: Converter по идее игбт продумывались для совместимости высоких напряжений, токов и быстродействия...
Не надо пугать людей

При чем тут пугать? Возьмите их в руки, подключите к драйверу и узрите, что это как раз тот случай, когда теория совпадает с практикой.
Во первых - это биполярный ключевой элемент, а это означает, что на нем падает минимум около 1 В в режиме насыщения. Т.е. для низковольтных цепей - этот ключ не эффективен (как и биполяр). Во вторых, лучший IGBT в разы дольше закрывается _{(чем открывается)} любого MOSFETа - подтверждено практикой. И если для сварочного преобразователя, рабочая частота 50 кГц - уже считается "высоким быстродействием", то для формирователя ультракоротких импульсов по данной тематике - это не так.

Первый раз я постиг эту простую истину много лет назад, когда попытался заменить обычные MOSFET IRF840 крутыми IGBT в модернизированной схеме преобразователя, сделанного на базе компьютерного блока питания, работающего на частоте до 100 кГц. Подключение осциллографа показало, что они банально не успевают закрываться и дают сквозняки, несмотря на то, что их входная емкость ниже, чем у MOSFET.
Второй раз, я хорошо их прощупал, когда пробовал различные транзисторы в формирователе наноимпульсов (как у Дали), от биполяров - до фетов.

IGBT - хороши сочетанием высокой перегрузочной способности, высокого напряжения, относительной дешевизны, но быстрое переключение - не их конек. Высокое быстродействие у них только условно-относительно, для промышленных силовых применений, как сварочники, управление двигателями - где раньше вообще использовались тиристоры.

Converter скорее всего вы использовали первые дубовые разработки...

Вот, пожалуйста - HGTG20N60A4D, думаю отлично подойдет для схем помучать.

Viaceslav_C_ пишет: Converter скорее всего вы использовали первые дубовые разработки...

Вот, пожалуйста - HGTG20N60A4D, думаю отлично подойдет для схем помучать.

"Помучайте", потом о результате отпишетесь.

Сейчас полез специально посмотреть, что я использовал. SGH80N60UFD и GP50B60PD1. Второй был гораздо резвей первого, но оба и рядом не лежат возле обычных MOSFET (по времени запирания).

www.icct.ru/node/79

вот тут на ссылке, думаю вполне подходящий и бюджетный вариант схемы пуш-пула