Так что же такое "ТОК В ПРОВОДНИКЕ"?

XYAMAN пишет: А вы сначала расскажите что за лептонная подрешетка! И вообще, если нейтрино это электрон без фотона, то где его масса? Ведь у фотона тоже нет массы...
Гладко поете про подрешетку, а еще нету определения решетки!

Кроме того совсем нпту ничего у вас про случай когда электроны меняют свои уровни энергии и скидывают фотоны. Получается у них не один фотон? Они таскают за собой дофига фотонов? Десять? Сто? Сколько?

Про торсионное поле зачем мне бить язык если все про него написано у Шипова и Акимова? Берите и читайте.... и не говорите что лень! Все есть, вы просто не желаете менять свою кривую парадигму, вот и ожидаете от меня определений, зная что я не стану попусту на вас тратить время...
Я уже домтаточно долго на форумах, чтобы с одного двух постов влет определять тролей и фантазеров.....

Лептонная подрешетка пространтсва это решетка в которой образуются, находятся и перемещаются лептонные дефекты (электрон, позитрон, нейтрино, возможно мюоны). Что такое решетка, читай у Киттеля. Что находится в узлах решетки - я не могу ответить на данным момент, некие частицы, смещение которых относительно равновесных узлов и создают напряженность электрического поля, которую мы регистрируем приборами.
Что касается периода решетки и типа упаковки - могу только предполагать, что период решетки меньше 10^-12 м. Тип упаковки - возможно ГПУ может ГЦК.
Это не принципиально на данном этапе развития модели.
У нейтрино нет массы (можно сказать что она бесконечна если закреплена в решетке), так как любые фотоны с длинами волн много больше размеров дефектов проходят сквозь них практически не изменяя своего направления.
Тем не менее, перемещение точечных дефектов по кристаллу пространтсва можно создать за счет деформации кристалла, или создав большой градиент напряженности в решетке. Более подробно читайте того же Киттеля, теория твердого тела.

По поводу того, что электрон меняет свои уровни - это не совсем правильное выражение, и у меня есть и на этот случай теория, так что не надо ляля.
Захваченный дефектом фотон - можно рассматривать как самоинтерферирующее колебание решетки, которое испытывает полное внутреннее отражение от остальной решетки. Пока электрон уединен - фотон случайным образом переотражается в разных направлениях, добавляя искажения в решетке в районе дефекта и тем самым создает условия для случайного блуждания дефекта по решетке. Это как раз то, что мы называем отсутствием классической траектории у электрона. Минимальная порция энергии, которая может быть захвачена электроном и удерживаться бесконечно долгое время - 0.511 МэВ. Однако, электрон может захватывать и другие порции энергии, которые просто добавляются к его текущей энергии.
Но вероятно дефект электрона устроен так, что повышенная энергия не может удерживаться длительное время самосогласованно и поэтому излишек переизлучается.
Что же касается электронов в атомах, то видимо там, при наличии адронных дефектов, и более мощных деформация пространства возможен захват порций энергии, которые мы называем уровнями в атомах. Энергия устойчивых уровней в атоме дискретна именно потому, что не все порции энергии могут образовывать устойчивую самоинтерферецию фотона в сложном дефекте. Если атом испытывает внешнее воздействие в виде искажения поля - равновесие может быть нарушено, и если атом был в возбужденном состоянии то он теряет квант энергии.

Что же касается торсионного поля - не надо меня отсылать куда-то, если ты понимаешь что это такое мог бы объяснить своими словами.
Относительно кривости парадигмы - я не сильно беспокоюсь, время покажет чья парадигма кривее.
А что касается троллинга - я даже не пытался, так что прверь свой троллинг детектор.

Что же касается тока - то согласно моей модели возможны 2 типа проводимости и я уже их описывал.
1) Классическая проводимость, когда время воздействия электрического поля на проводник в одном направлении много больше времени пролета электроном межатомного расстояния.
2) Когда электрон не успевает долететь до следующего узла решетки.

Я делал оценку времени, при которой электрон не успевает долететь до следующего узла в решетке и у меня получилось порядка 3.5 наносекунды.
Это расчетная оценка, но на практике вероятно она зависит от скорости тока и может быть больше, надо измерять (скажем до нескольких миллисекунд)..

То есть если поледействует порядка 3.5 нс, то дефект электрона не успевает перескочить на следующий атом. И проводник не испытыват нагрев.
Об этом писал и говорил Том Бирден. То есть ток есть, а перенос дефектов электрона нет.

Еще одним вариантом может быть условие, которое делается в искровом разряде катушки Тесла.
При этом разрядник должен отделять положительный электрод от индуктора.
В этом случае искровой разряд порождает лавинообразный перенос дефектов заряда, и при коротком искровом разряде (который Тесла гасил магнитным полем или сдувал воздухом) и резком фронте (идеально было бы иметь наносекундные фронты, но скорее всего есть некое пороговое значение) это запускало бы реакцию переноса дефектов только на 1 межатомное расстояние по принципу домино. При этом волна переноса дефектов прошла бы по всему проводнику и это не вызвало бы никакого нагрева, так как все частицы двигались бы в одном направлении, а не хаотично.

Вот при таких условиях возможно может получиться что-то сверхединичное, если павильно утилизировать полученную энергию.

А при обычном подключении ключей между заземлением и индуктором - скорее всего ничего не получится, потому, что в этом случае ударная волна отрицательная и она идет от заземления к источнику питания. Отрицательная волна проходит выше уровня Ферми, и она рассеивается, а положительная волна идет ниже уровня Ферми и при этом она не рассеивается.

Есть всякие устройства обострители импульсов

EnergyStar пишет: Есть всякие устройства обострители импульсов

Есть много технических решений, импульс не важен, важен передний фронт открытия транзистора или искры.
Некто НОЙ на старом страннике рассказывал, что существует некое пороговое значение времени фронта импульса, ниже которого наблюдается все то, что мы ищем.
Он называет это точкой бифуркации. Если мы будем открывать транзитор недостаточно быстро - то никаких сверхединичных явлений мы не увидим.
Я оценил это время в 3.5 нс, но возможно время открытия может быть и больше. Надо искать экспериментально эту точку бифуркации.

По сути дела, это переход от обычной проводимости к необычной.

P.S. Длительность импульса после первого фронта будет определять исключительно потери, так как необычная проводимость будет длится только пока будет идти нарастающий фронт, а потом в течение всего импульса будет идти обычный ток.

я так понимаю во время фронта из провоника вылетает то что нам надо?

EnergyStar пишет: я так понимаю во время фронта из провоника вылетает то что нам надо?

Приведу две аналогии чтобы было понятно.

1) Берем ведро воды, берем длинный желоб, например метров 10, наполненный водой.
С одного конца желоба плюхаем воду - что мы видим? Видим как образуется некое подобие солитона, но этот солитон будет расплываться по мере продвижения по желобу.
Вот тут на видео видно, что если делать волну выше уровня, то она со временем деградирует


2) Берем желоб с водой. С одной стороны желоба резко открываем стенку, выпускаем порцию воды из желоба и потом резко закрываем.
Образуется волна, которая будет ниже уровня жидкости, и она будет распространяться по желобу, при этом форма волны не будет меняться.
Образуется солитон.

Естествнно резкость открытия стенки сильно влияет на формирование волны. Если открывать медленно - то волна так же будет размазана.

XYAMAN пишет: А солитоны ваще бывают от дисперсии проводимости среды..
Когда рост амплитуды напряженности поля превышает некие значения, за единицу времени, обычная волна превращается в солитон. Но сути это не меняет..

Ваще если брать ГНСИ, то он импульсы создает, которые почти автоматом делаются солитонами. ГНСИ не дает обычных волн, если амплитуда выше 700вольт, при длительности фронта менее 2нс.. (по моим замерам).Т.е. вот примерно скорость нарастания амплитуды это более 350вольт за наносекунду - это уже солитон.. менее - обычная волна.

Если солитон запускаем в двухполюсник, то обратка идет в виде волны, хотя запускаем туда солитон. Т.е. обратка например импульса 2нс амплитудой 1,4кв, примерно имеет длительность минимум 8нс. Но ее амплитуда около 150 вольт, а реально не 8нс , а около 50нс.. Почему ? думаю дисперсия размывает..

Ну или как вариант создания солитона в индукторе Теслы это разряд из высокого напряжения, и уменьшение времени разряда искры сдуванием ее или сбиванием магнитным полем. Чтобы получить критическую скорость для образования солитона.

Как вы правильно заметили, одинм из условий возниконовения солитона должна быть дисперсия скорости распространения волны, в зависимости от некого параметра. Например в бассейне - это зависимость скорости волны от глубины, а в проводнике - это зависимость групповой скорости носителей от энегрии носителей.

При этом дисперсия тоже должна быть правильная, например в воде скорость волны меньше при меньшей глубине и выше при большой. Если бы было наоборот, то солитоны и волны в воде не образовывались бы.

robotustra пишет:

EnergyStar пишет: Есть всякие устройства обострители импульсов

Есть много технических решений, импульс не важен, важен передний фронт открытия транзистора или искры.
Некто НОЙ на старом страннике рассказывал, что существует некое пороговое значение времени фронта импульса, ниже которого наблюдается все то, что мы ищем.
Он называет это точкой бифуркации. Если мы будем открывать транзитор недостаточно быстро - то никаких сверхединичных явлений мы не увидим.
Я оценил это время в 3.5 нс, но возможно время открытия может быть и больше. Надо искать экспериментально эту точку бифуркации.

По сути дела, это переход от обычной проводимости к необычной.

P.S. Длительность импульса после первого фронта будет определять исключительно потери, так как необычная проводимость будет длится только пока будет идти нарастающий фронт, а потом в течение всего импульса будет идти обычный ток.

Разрешите встрять? С моей точки зрения всё и проще и сложнее.
Проще, потому что Вы оперируете вторичными параметрами. Главное во всей этой кутерьме (ИМХО) это не длительность фронта, а элементарная скорость нарастания ЭНЕРГИИ. Именно этот параметр имеет пороги, после которых реакция среды кардинально меняется. Неспешно опуская руку в воду мы и не заметим присутствия последней, если она будет нашей температуры. Резкий удар и вода проявляет свойства твёрдого тела и ней идёт упругая волна со скоростью звука в воде, очень резкий удар приводит к испарению воды. В первом случае молекулы смещаются, во втором случае энергия уходит через поля в виде волны, в третьем случае, вся энергия остаётся у молекулы и она естественно резко приобретает гигантскую температуру. В любом веществе есть эти пороги. И поэтому всё что мы видим в макромире, будет и в проводнике.
А почему сложнее? А кто сказал, что эти процессы дискретны? Зачастую они все происходят одновременно, если параметры воздействия таковы. Резко коротко ударили - пошла упругая волна по полям, электроны стоят. Ударили резко с определённой длительностью ФРОНТА - получили волну плотности (типа звуковой) - смещение в импульсе, например одной частицы , большая длительность ФРОНТА приводит к возникновению тока. Или кто сказал, что солитон не может бежать по двигающимся частицам, или волна плотности не может бежать по току? И все эти реакции есть способы перераспределения энергии, или говоря по другому - способы передачи мощности.

P.S. Да насчёт конкретных параметров. Сами понимаете что скорость нарастания и определяет эти параметры. Если объём большой и потенциалы большие, то и относительно неспешное открытие приведёт к большой скорости нарастания, а при маленьких мощностях и потенциалах нужны наносеки. Так что нет чётких параметров. Смотря куда мы бьём, чем мы бьём, как мы бьём....

Пора переходить к практике.