устройство по Клесову
Пожалуйста Войти или Регистрация, чтобы присоединиться к беседе.
Пожалуйста Войти или Регистрация, чтобы присоединиться к беседе.
По напряжению и току - тоже да. Не случайно автор использовал CM200HA-24H. В перспективе на входе будет ЛАТР - буду постепенно повышать.
По-поводу шишек...
Читать можно много. Даже очень много. Но проверять тоже надо
Да, и обратную связь делать надо - напряжение - скважность.
Пожалуйста Войти или Регистрация, чтобы присоединиться к беседе.
И эта емкость требует тщательного подбора для корректной работы выходных транзисторов!Vikt1 пишет: creasysee, посмотрел вашу схему. Судя по всему (даташит не смотрел) вы применили драйвер для полумоста. В таком драйвере конденсатор питания верхнего плеча заряжается при открывании нижнего транзистора, т е предполагается, что исток верхнего транзистора и сток нижнего соединены. У вас там стоит индуктивность. На меня уже ругались в похожем случае, но вы посмотрите внимательнее...
Пожалуйста Войти или Регистрация, чтобы присоединиться к беседе.
Вот даташит:Vikt1 пишет: creasysee, посмотрел вашу схему. Судя по всему (даташит не смотрел) вы применили драйвер для полумоста. В таком драйвере конденсатор питания верхнего плеча заряжается при открывании нижнего транзистора, т е предполагается, что исток верхнего транзистора и сток нижнего соединены. У вас там стоит индуктивность. На меня уже ругались в похожем случае, но вы посмотрите внимательнее...
Не соединены. Верхний и нижний каналы открываются со входов HIN и LIN - они соеденены. Входы неинвертирующие - плечи открываются одновременно и закрываются тоже одновременно. Как и по патенту Клёсова - катушка отрывается от источника с двух сторон.
diod пишет: И эта емкость требует тщательного подбора для корректной работы выходных транзисторов!
Обе емкости служат для открывания транзисторов. И ёмкости и затворные резисторы расчитаны мной исходя из полного заряда затвора ключевых транзисторов 252
Даташит:
Пожалуйста Войти или Регистрация, чтобы присоединиться к беседе.
Пожалуйста Войти или Регистрация, чтобы присоединиться к беседе.
diod пишет: Возможно для этих целей лучше использовать биполяры, или IGBT без диода внутри и соответствующий драйвер к ним, или ЗГ с регулировкой скважности и ТГР.
Вот это да. IGBT. Но цена кусается - клёсовские по 10 штук деревянных стоят...
А диод не влияет. Это домыслы. По крайней мере я хотел бы узнать от вас мысли как именно он мешает. В вышепреведённой схеме для увеличения скорости закрытия транзистора этот диод специально задублирован более скоростным 30ETH06 для снижения времени рассазывания носителей.
Кстати, для IGBT пойдет этот же драйвер. Я пока в раздумьях, какие транзисторы ставить и городить ли массив из них.
Пожалуйста Войти или Регистрация, чтобы присоединиться к беседе.
Пожалуйста Войти или Регистрация, чтобы присоединиться к беседе.
Тут, кстати, диоды стоят. IGBT бывают с диодами и без. Эти с диодами. Так что не нужно искать транзисторы без диодов.creasysee пишет: ... IGBT транзисторы CM200HA-24H 1200V 200A.
Даташит:
И эти транзисторы достаточно низкочастотные - у них предел 20-25 кГц, сам транзистор 250-300 нс, а диод - 135 нс, т.е. его даже шунтировать не надо. Осталось лишь подобрать аналог по разумной цене, пусть даже и с меньшей мощностью, но на радиаторы посалить, а не так как в том девайсе - просто на корпус. Ну и как я говорил - все провода надо сокращать по длинне, а не разводить эту порнографию. И тогда при более слабых транзисторах удастся получить ту же мощность.
Пожалуйста Войти или Регистрация, чтобы присоединиться к беседе.
Пожалуйста Войти или Регистрация, чтобы присоединиться к беседе.