устройство по Клесову

Да, всё верно. Полетело всё из-за отсутствия нагрузки. Первый запуск (низкочастотный) был с нагрузкой - 2кВт масляный радиатор. Второй запуск в лёгком отчаянии уже пошел без нагрузки.

По напряжению и току - тоже да. Не случайно автор использовал CM200HA-24H. В перспективе на входе будет ЛАТР - буду постепенно повышать.

По-поводу шишек...
Читать можно много. Даже очень много. Но проверять тоже надо

Да, и обратную связь делать надо - напряжение - скважность.

Vikt1 пишет: creasysee, посмотрел вашу схему. Судя по всему (даташит не смотрел) вы применили драйвер для полумоста. В таком драйвере конденсатор питания верхнего плеча заряжается при открывании нижнего транзистора, т е предполагается, что исток верхнего транзистора и сток нижнего соединены. У вас там стоит индуктивность. На меня уже ругались в похожем случае, но вы посмотрите внимательнее...

И эта емкость требует тщательного подбора для корректной работы выходных транзисторов!

Vikt1 пишет: creasysee, посмотрел вашу схему. Судя по всему (даташит не смотрел) вы применили драйвер для полумоста. В таком драйвере конденсатор питания верхнего плеча заряжается при открывании нижнего транзистора, т е предполагается, что исток верхнего транзистора и сток нижнего соединены. У вас там стоит индуктивность. На меня уже ругались в похожем случае, но вы посмотрите внимательнее...

Вот даташит:



Не соединены. Верхний и нижний каналы открываются со входов HIN и LIN - они соеденены. Входы неинвертирующие - плечи открываются одновременно и закрываются тоже одновременно. Как и по патенту Клёсова - катушка отрывается от источника с двух сторон.

diod пишет: И эта емкость требует тщательного подбора для корректной работы выходных транзисторов!

Обе емкости служат для открывания транзисторов. И ёмкости и затворные резисторы расчитаны мной исходя из полного заряда затвора ключевых транзисторов 252 кулона нанокулона, конечно же

Даташит:

Возможно для этих целей лучше использовать биполяры, или IGBT без диода внутри и соответствующий драйвер к ним, или ЗГ с регулировкой скважности и ТГР.

diod пишет: Возможно для этих целей лучше использовать биполяры, или IGBT без диода внутри и соответствующий драйвер к ним, или ЗГ с регулировкой скважности и ТГР.

Вот это да. IGBT. Но цена кусается - клёсовские по 10 штук деревянных стоят...
А диод не влияет. Это домыслы. По крайней мере я хотел бы узнать от вас мысли как именно он мешает. В вышепреведённой схеме для увеличения скорости закрытия транзистора этот диод специально задублирован более скоростным 30ETH06 для снижения времени рассазывания носителей.

Кстати, для IGBT пойдет этот же драйвер. Я пока в раздумьях, какие транзисторы ставить и городить ли массив из них.

У него там только детали больше чем на штуку зелени потянут Транзисторы IPW60R45CP у нас по 6 бакинских. А там и опто-развязка и драйвера а емкостя какие и сколько!?!

creasysee пишет: ... IGBT транзисторы CM200HA-24H 1200V 200A.

Тут, кстати, диоды стоят. IGBT бывают с диодами и без. Эти с диодами. Так что не нужно искать транзисторы без диодов.

Даташит:

И эти транзисторы достаточно низкочастотные - у них предел 20-25 кГц, сам транзистор 250-300 нс, а диод - 135 нс, т.е. его даже шунтировать не надо. Осталось лишь подобрать аналог по разумной цене, пусть даже и с меньшей мощностью, но на радиаторы посалить, а не так как в том девайсе - просто на корпус. Ну и как я говорил - все провода надо сокращать по длинне, а не разводить эту порнографию. И тогда при более слабых транзисторах удастся получить ту же мощность.

И дросселек у него не хилый! Индуктивность в несколько Гн наверное!

diod пишет: И дросселек у него не хилый! Индуктивность в несколько Гн наверное!

Да. С этим надо экспериментировать. Он у него на каком-то сердечнике, а мои эксы подвердили снижение на железе. Надо будет феррит проверить.

Попробуй на дросселе от ДРЛ или хотя-бы от старой ЛДС на 80вт. У меня на др. от ЛДС от обычного реле в качестве коммутатора за 5-6сек. емкость МБГВ 100мкф. 1000в. заряжалась до 280-320в. при потреблении в несколько десятков ма.