БТГ Владимира и Чипа

Before switch F closure, capasitors H are charged with complecx current I, produced by opposing flux from coil M. Complex field energy is stored in capasitors H due to complete absence of electron flow in the secondary side. At the moment of switch F closure, or t=0 sec., a complex DC impulse current flows trough coil K, discharging capasitors H. A very large complex electric potential is observed across secondary coil L.
Перед замыканием клуча F, конденсаторы H заряжаются с током I, созданным противоположными потоками от катушки M. Сложная энергия поля сохраняется в конденсаторах H из-за полного отсутствия потока электронов во вторичной стороне. В момент замыкания переключателя F или t = 0 сек, поток постоянного тока протекает через катушку K, разряжая конденсаторы H. Очень большой комплексный электрический потенциал наблюдается через вторичную катушку L.

Если делать как в ратенте Тесла 568.176, тогда ключ упрощается, потому что питание пульсирующая постоянка и кондеры заряжаются резными потоками, с хитро намотанного транса, отпадает диодный мост но нужен мощный IGBT (или полевик). Мощный в смысле напряжения (1200-1500в), потому что в кондерах будут закручены сильные потоки которые, при закрывании ключа попрут через него. Кондеры тоже не все подойдут и если расматривать закручивание потока наиболее подходят дисковые. Помниш когда чипа попросили дорисовать схему, он сначала разбирался, че то мямлил под носом: -фаза, -фаза,-фаза,-фаза,.... и потом уже нарисовал транс и пририсовал к бифу. А почему? потому что у него другая схема, а по той сх. (в конференции) уже надо было подумать как "разлогаются" фазы. Как то так, мнения ни кому ненавязываю.
Вроде бы на основе этово патента Теслы проводился злополучный Филадельфийский эксперимент.

Темное дело) А поток катушки G воду мутит наверно и как следствие в катушках М баланса нет.....( Надо заниматься темой БТГ В и Чипа! Ксатити что-то мне Мишин тоже не нравится(

Alvis пишет: Before switch F closure, capasitors H are charged with complecx current I, produced by opposing flux from coil M. Complex field energy is stored in capasitors H due to complete absence of electron flow in the secondary side. At the moment of switch F closure, or t=0 sec., a complex DC impulse current flows trough coil K, discharging capasitors H. A very large complex electric potential is observed across secondary coil L.
Перед замыканием клуча F, конденсаторы H заряжаются с током I, созданным противоположными потоками от катушки M. Сложная энергия поля сохраняется в конденсаторах H из-за полного отсутствия потока электронов во вторичной стороне. В момент замыкания переключателя F или t = 0 сек, поток постоянного тока протекает через катушку K, разряжая конденсаторы H. Очень большой комплексный электрический потенциал наблюдается через вторичную катушку L.

Вот что написано об этом патенте в книге патентов Теслы.

Снимок бродивший по разным сайтам. Если сравнить с выше приведенным снимком патемта 568.176 Теслы, очень они похожи. Обратите внимание как помечены обмотки (начало, конец) на входном трансе.


Вот и novator75 выше выкланывал свои правильные предположения

Это схемы MIRW. Здесь есть по ним кое-что. energyscience.ru/post256.html#p256

Я вижу не все понимают схему ЧИПа, давайте разбираться с ней по кусочкам. Мы видим понижающий трансформатор, к вторичке подключен мостик с ключом. Мостик-понимаете, для работы ключа, транзистор же не может работать на переменке. Сразу скажу, схема никудышная. Как бы вы ни изголялись с диодами, они будут греться, а лишние потери никому не нужны. Все решается намного проще. Два мосфета с встроенными диодами решают вопрос на ура. Проверенная схема во вложении. На резистор 10 ком подаем сигнал с драйвера, разумеется с возможностью подстройки частоты и скважности.
Что делает ключ? При его замыкании трансформатор переходит в режим короткого замыкания, т.е во вторичке течет ток максимальный для данного трансформатора. Чем больше этот ток, тем нам лучше. Чип еще ставит емкость на первичку для достижения параллельного резонанса 50 гц в первичке, тем самым увеличивая возможность повышения тока КЗ во вторичной обмотке.
При размыкании ключа току во вторичной обмотке деваться некуда и на концах обмотки возникает импульс ОЭДС значительной амплитуды. Его величина зависит именно от тока, протекавшего в обмотке при КЗ. Никакие ограничительные резисторы в схеме не нужны. 460-й мосфет 20 ампер спокойно скушает, а вот импульс ОЭДС легко может превысить допустимое напряжение транзистора, и желательно параллельно ключам поставить стабилитроны вольт на 400.
В итоге на выходе схемы получается осцилка Чипа, ощетинившаяся волосами синусоида. Если кто то думает, что происходит нарезка синусоиды, ошибается. Происходит именно ощетинивание синуса с пиками напряжения в сотни вольт и частотой от генератора управления мосфетами. Подбирая эту частоту и скважность добиваемся максимального выхлопа.
Как получите этот эффект, будем двигаться дальше. И еще, очень рекомендую ознакомиться с темой Мирва. Эти опыты были проведены еще лет 7 назад.
Если внимательно посмотрите схемы Тесла, то увидите, что у Чипа то же самое, только на современной элементной базе без разрядников.

Уважаемый yvs, это все понятно и рыбки у многих уже есть. Тут вообще никаких проблем кроме подбора деталей, и чуток схемотехники.

Похоже, но видно, что частота и скважность не подбирались. При хорошей настройке экрана не хватает даже с делителем.